| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 亚波长光栅及其特性 | 第8-9页 |
| 1.2 亚波长光栅的相关制备技术 | 第9-10页 |
| 1.2.1 镀膜技术 | 第9页 |
| 1.2.2 光刻技术 | 第9-10页 |
| 1.2.3 刻蚀技术 | 第10页 |
| 1.3 亚波长光栅在VCSEL中的应用 | 第10-12页 |
| 1.4 亚波长光栅反射镜的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 亚波长光栅理论分析与结构设计 | 第16-26页 |
| 2.1 亚波长光栅理论 | 第16-22页 |
| 2.1.1 严格耦合波理论(RCWA) | 第16-20页 |
| 2.1.2 等效介质理论(EMT) | 第20-22页 |
| 2.2 亚波长光栅反射镜的结构设计与特性仿真 | 第22-25页 |
| 2.2.1 亚波长光栅反射镜的结构设计 | 第22-23页 |
| 2.2.2 亚波长光栅反射镜的仿真分析 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 二氧化硅薄膜的制备技术 | 第26-36页 |
| 3.1 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术 | 第26-27页 |
| 3.2 低应力SiO_2薄膜的制备 | 第27-33页 |
| 3.2.1 实验材料及方法 | 第28-29页 |
| 3.2.2 应力与反应温度(T)的关系 | 第29-30页 |
| 3.2.3 应力与射频功率(RF)的关系 | 第30-31页 |
| 3.2.4 应力与反应压强(P)的关系 | 第31-32页 |
| 3.2.5 应力与气体流量比(SiH_4/N_2O)的关系 | 第32-33页 |
| 3.3 SiO_2薄膜的形貌表征 | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 亚波长光栅图形的制备技术 | 第36-49页 |
| 4.1 全息光刻技术 | 第36-41页 |
| 4.1.1 全息曝光系统的原理 | 第36-37页 |
| 4.1.2 全息曝光系统的优化 | 第37-38页 |
| 4.1.3 全息光栅图形的制备工艺流程 | 第38-40页 |
| 4.1.4 全息光栅图形的形貌表征 | 第40-41页 |
| 4.2 感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术 | 第41-45页 |
| 4.2.1 ICP刻蚀原理 | 第41-42页 |
| 4.2.2 ICP刻蚀过程及分析 | 第42-43页 |
| 4.2.3 ICP刻蚀光栅的形貌表征 | 第43-45页 |
| 4.3 亚波长光栅反射镜的工艺流程及测试 | 第45-47页 |
| 4.3.1 亚波长光栅反射镜的工艺流程 | 第45-46页 |
| 4.3.2 亚波长光栅反射镜的形貌表征与特性测试 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第56页 |