| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第10页 |
| 1.2 Zn_2GeO_4纳米材料的基本性质和研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 紫外探测技术的发展过程 | 第12页 |
| 1.4 紫外光电探测器的发展过程 | 第12-14页 |
| 1.4.1 光电子发射探测器 | 第13页 |
| 1.4.2 光电导探测器 | 第13页 |
| 1.4.3 光伏探测器 | 第13-14页 |
| 1.5 紫外光电探测器的特性参数 | 第14-16页 |
| 1.5.1 探测波长 | 第15页 |
| 1.5.2 量子效率 | 第15页 |
| 1.5.3 光谱响应度 | 第15页 |
| 1.5.4 噪声等效功率 | 第15-16页 |
| 1.5.5 探测率 | 第16页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 Zn_2GeO_4纳米线的制备与表征 | 第18-30页 |
| 2.1 纳米结构材料的制备方法 | 第18-21页 |
| 2.1.1 气相沉积法 | 第18-20页 |
| 2.1.2 液相法 | 第20页 |
| 2.1.3 磁控溅射法 | 第20-21页 |
| 2.2 一维Zn_2GeO_4纳米材料的制备 | 第21-25页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第21页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第22-25页 |
| 2.3 Zn_2GeO_4纳米结构的主要表征方法 | 第25-29页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析仪(EDS) | 第26-27页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜(TEM) | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 不同生长压强下制备Zn_2GeO_4纳米线网的研究 | 第30-37页 |
| 3.1 实验步骤 | 第30-31页 |
| 3.2 不同生长压强下制备的Zn_2GeO_4纳米线网的表征分析 | 第31-34页 |
| 3.2.1 扫描电镜(SEM)的表征分析 | 第31-32页 |
| 3.2.2 X射线衍射(XRD)的表征分析 | 第32-33页 |
| 3.2.3 透射电子显微镜(TEM)的表征分析 | 第33-34页 |
| 3.3 不同生长压强下SiO2/Si基底制备Zn_2GeO_4纳米线网的机理研究 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 无催化剂制备基于柱状电极的横向Zn_2GeO_4纳米线网以及石英基底Zn_2GeO_4纳米线网 | 第37-44页 |
| 4.1 无催化剂基于柱状电极的横向Zn_2GeO_4纳米线网的制备及表征 | 第37-41页 |
| 4.1.1 实验过程 | 第37-39页 |
| 4.1.2 无催化剂制备基于柱状电极Zn_2GeO_4纳米线网的生长机理分析 | 第39-41页 |
| 4.2 石英基底制备Zn_2GeO_4纳米线网 | 第41-42页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第41-42页 |
| 4.2.2 Zn_2GeO_4纳米线网的吸收光谱测试 | 第42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第5章 日盲深紫外光电探测器性能的研究 | 第44-50页 |
| 5.1 日盲DUV光电探测器的制备 | 第44页 |
| 5.2 日盲深紫外探测器的光电测试 | 第44-49页 |
| 5.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
