非易失性存储器的能耗研究
中文摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4-5页 |
1 绪论 | 第8-19页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 非易失性存储器概述 | 第9-12页 |
1.2.1 相变存储器材料 | 第10页 |
1.2.2 相变存储器原理 | 第10-12页 |
1.3 新型非易失性存储器的应用 | 第12-13页 |
1.4 低功耗相变存储器的研究现状 | 第13-16页 |
1.4.1 器件结构方面的研究 | 第13-15页 |
1.4.2 系统结构方面的研究 | 第15-16页 |
1.5 本文的研究意义和内容 | 第16-18页 |
1.5.1 本文的研究意义 | 第16-17页 |
1.5.2 本文的主要工作 | 第17-18页 |
1.6 本文的组织结构 | 第18-19页 |
2 非易失性存储器能耗优化的相关研究 | 第19-25页 |
2.1 引言 | 第19-20页 |
2.2 PCM系统结构 | 第20-21页 |
2.3 DCW算法 | 第21-22页 |
2.4 Flip-N-Write算法 | 第22-23页 |
2.5 XOR-masked算法 | 第23-24页 |
2.6 本章总结 | 第24-25页 |
3 CA-NVM硬件结构相关分析 | 第25-34页 |
3.1 系统结构 | 第25-26页 |
3.2 NVM控制器结构 | 第26-27页 |
3.3 NVM控制器执行步骤 | 第27-28页 |
3.4 CA-NVM样例分析 | 第28-30页 |
3.5 CA-NVM可行性分析 | 第30-33页 |
3.6 本章小结 | 第33-34页 |
4 基于内容感知机制的写算法 | 第34-43页 |
4.1 引言 | 第34页 |
4.2 CA-NVM逻辑模型 | 第34-35页 |
4.3 CA-NVM与处理请求 | 第35-38页 |
4.4 CA-NVM算法 | 第38-39页 |
4.5 空闲数据页样品仓库 | 第39-42页 |
4.6 本章小结 | 第42-43页 |
5 实验仿真及结果分析 | 第43-53页 |
5.1 实验环境 | 第43-44页 |
5.2 NVMSim配置 | 第44-45页 |
5.3 实验数据收集 | 第45页 |
5.4 仿真结构分析与比较 | 第45-52页 |
5.4.1 仿真结果分析比较 | 第45-51页 |
5.4.2 NVM能耗分析 | 第51页 |
5.4.3 NVM I/O时延分析 | 第51-52页 |
5.5 本章小结 | 第52-53页 |
6 总结与展望 | 第53-55页 |
6.1 全文总结 | 第53-54页 |
6.2 展望 | 第54-55页 |
致谢 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-60页 |
附录 | 第60页 |
A 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第60页 |
B 作者在攻读学位期间参加的科研项目目录 | 第60页 |