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非易失性存储器的能耗研究

中文摘要第3-4页
英文摘要第4-5页
1 绪论第8-19页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 非易失性存储器概述第9-12页
        1.2.1 相变存储器材料第10页
        1.2.2 相变存储器原理第10-12页
    1.3 新型非易失性存储器的应用第12-13页
    1.4 低功耗相变存储器的研究现状第13-16页
        1.4.1 器件结构方面的研究第13-15页
        1.4.2 系统结构方面的研究第15-16页
    1.5 本文的研究意义和内容第16-18页
        1.5.1 本文的研究意义第16-17页
        1.5.2 本文的主要工作第17-18页
    1.6 本文的组织结构第18-19页
2 非易失性存储器能耗优化的相关研究第19-25页
    2.1 引言第19-20页
    2.2 PCM系统结构第20-21页
    2.3 DCW算法第21-22页
    2.4 Flip-N-Write算法第22-23页
    2.5 XOR-masked算法第23-24页
    2.6 本章总结第24-25页
3 CA-NVM硬件结构相关分析第25-34页
    3.1 系统结构第25-26页
    3.2 NVM控制器结构第26-27页
    3.3 NVM控制器执行步骤第27-28页
    3.4 CA-NVM样例分析第28-30页
    3.5 CA-NVM可行性分析第30-33页
    3.6 本章小结第33-34页
4 基于内容感知机制的写算法第34-43页
    4.1 引言第34页
    4.2 CA-NVM逻辑模型第34-35页
    4.3 CA-NVM与处理请求第35-38页
    4.4 CA-NVM算法第38-39页
    4.5 空闲数据页样品仓库第39-42页
    4.6 本章小结第42-43页
5 实验仿真及结果分析第43-53页
    5.1 实验环境第43-44页
    5.2 NVMSim配置第44-45页
    5.3 实验数据收集第45页
    5.4 仿真结构分析与比较第45-52页
        5.4.1 仿真结果分析比较第45-51页
        5.4.2 NVM能耗分析第51页
        5.4.3 NVM I/O时延分析第51-52页
    5.5 本章小结第52-53页
6 总结与展望第53-55页
    6.1 全文总结第53-54页
    6.2 展望第54-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-60页
附录第60页
    A 作者在攻读学位期间发表的论文目录第60页
    B 作者在攻读学位期间参加的科研项目目录第60页

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