| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-12页 |
| 1.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第12-18页 |
| 1.2.1 改变液晶材料的研究 | 第12-13页 |
| 1.2.2 改变掺杂物质的研究 | 第13-15页 |
| 1.2.3 改变液晶盒结构的研究 | 第15-18页 |
| 1.3 本文研究的动机 | 第18-19页 |
| 第2章 液晶中光折变效应的基本理论 | 第19-28页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 光折变效应的形成机制 | 第19-26页 |
| 2.2.1 Kukhtarev提出的带输运模型 | 第20-22页 |
| 2.2.2 Khoo提出的Carr-Helfrich理论 | 第22-23页 |
| 2.2.3 Moerner提出的取向增强效应 | 第23-25页 |
| 2.2.4 Zhang提出的表面效应 | 第25-26页 |
| 2.3 光折变材料典型参数的描述 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 基于ZnSe液晶盒二波耦合增益系数的研究 | 第28-43页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 实验光路图以及对二波耦合增益的相关测量 | 第28-30页 |
| 3.3 液晶盒的设计与制备 | 第30-32页 |
| 3.4 二波耦合实验条件的整体优化研究 | 第32-37页 |
| 3.4.1 两写入光偏振态的选择 | 第32-33页 |
| 3.4.2 两写入光夹角的优化 | 第33-34页 |
| 3.4.3 两写入光的光强比值优化 | 第34-35页 |
| 3.4.4 样品法线相对两写入光角平分线的空间角度优化 | 第35-36页 |
| 3.4.5 光导层ZnSe镀膜的厚度优化 | 第36-37页 |
| 3.5 不同厚度样品的 2BC增益系数的系统研究 | 第37-42页 |
| 3.5.1 不同厚度样品在不同外加电压下的 2BC增益特性 | 第37-38页 |
| 3.5.2 薄样品高增益后的机制分析 | 第38-41页 |
| 3.5.3 对不同厚度样品在不同外加电压下的 2BC动态分析 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 基于ZnSe液晶盒一阶响应的研究 | 第43-54页 |
| 4.1 光栅读出实验条件的初步优化 | 第43页 |
| 4.2 对样品的响应速度在不同液晶层厚度下变化特性的研究 | 第43-47页 |
| 4.3 不同厚度的样品的一阶衍射效率随外加电压变化的特性 | 第47-48页 |
| 4.4 二维衍射图样的研究 | 第48-53页 |
| 4.4.1 理论上严格的夫琅禾费衍射形式 | 第50-51页 |
| 4.4.2 本课题实验中的夫琅禾费衍射形式 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
