| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9-13页 |
| 1.1.1 半导体硅探测器简介 | 第9-11页 |
| 1.1.2 高能物理实验与硅探测器 | 第11-13页 |
| 1.2 研究意义和主要内容 | 第13-15页 |
| 第2章 硅探测器中的辐照损伤效应及抗辐照加固 | 第15-21页 |
| 2.1 硅探测的辐照损伤效应 | 第15-19页 |
| 2.1.1 原子位移损伤效应 | 第15-16页 |
| 2.1.2 辐照对漏电流的影响 | 第16-17页 |
| 2.1.3 辐照对电中性区的影响 | 第17页 |
| 2.1.4 辐照对空间电荷浓度的影响 | 第17-19页 |
| 2.2 硅探测器的抗辐照加固 | 第19-20页 |
| 2.2.1 材料/掺杂/缺陷工程 | 第19页 |
| 2.2.2 改善器件结构 | 第19-20页 |
| 2.3 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 三维沟槽电极硅探测器电荷收集的物理模型 | 第21-38页 |
| 3.1 电场推导与分析 | 第21-26页 |
| 3.2 Ramo理论 | 第26-31页 |
| 3.2.1 Ramo理论的物理推导 | 第26-28页 |
| 3.2.2 Ramo理论在探测器中的应用 | 第28-31页 |
| 3.3 缺陷能级的俘获效应 | 第31-35页 |
| 3.3.1 SRH复合理论 | 第31-33页 |
| 3.3.2 探测器中的载流子俘获效应 | 第33-35页 |
| 3.4 电荷收集模型的推导 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 三维沟槽电极硅探测的TCAD仿真 | 第38-51页 |
| 4.1 TCAD仿真 | 第38-43页 |
| 4.1.1 基本物理方程 | 第38-39页 |
| 4.1.2 仿真流程 | 第39-43页 |
| 4.2 三维沟槽电极硅探测器电场与比重分配场的仿真 | 第43-50页 |
| 4.2.1 电场的TCAD仿真及结果分析 | 第43-49页 |
| 4.2.2 比重分配场的TCAD仿真及结果分析 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 电荷收集性能的模拟与仿真结果 | 第51-64页 |
| 5.1 电荷收集的数据处理方法 | 第51-53页 |
| 5.2 电荷收集与粒子入射位置的关系 | 第53-59页 |
| 5.2.1 无辐射照射条件下的电荷收集 | 第53-55页 |
| 5.2.2 不同质子辐照通量条件下的电荷收集 | 第55-59页 |
| 5.3 电荷收集与电压的关系 | 第59页 |
| 5.4 平均收集电荷的计算 | 第59-62页 |
| 5.5 电极间距对电荷收集的影响 | 第62页 |
| 5.6 本章小结 | 第62-64页 |
| 第6章 总结与展望 | 第64-67页 |
| 6.1 论文总结 | 第64页 |
| 6.2 工作展望 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 个人简历 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第74页 |