| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 InP、GaAs和Si材料的概述 | 第12-15页 |
| 1.3 InP/GaAs异质外延材料研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3.1 InP/GaAs晶片键合技术 | 第15-16页 |
| 1.3.2 缓冲层技术 | 第16-17页 |
| 1.4 薄膜外延生长技术的介绍 | 第17-19页 |
| 1.4.1 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第18页 |
| 1.4.2 液相外延技术(LPE) | 第18页 |
| 1.4.3 分子束外延技术(MBE) | 第18-19页 |
| 1.5 外延薄膜生长模式 | 第19-20页 |
| 1.5.1 单层生长模式 | 第19页 |
| 1.5.2 岛状生长模式 | 第19页 |
| 1.5.3 层岛生长模式 | 第19-20页 |
| 1.6 InP/GaAs薄膜材料中的缺陷 | 第20-21页 |
| 1.7 本文研究内容及结构安排 | 第21-24页 |
| 第2章 样品的制备与表征 | 第24-30页 |
| 2.1 样品的制备 | 第24-27页 |
| 2.1.1 低温生长不同外延层厚度样品的制备 | 第24页 |
| 2.1.2 退火样品的制备 | 第24-25页 |
| 2.1.3 真空退火及外加电场退火样品的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.4 透射电子显微镜样品的制备 | 第26-27页 |
| 2.2 样品的表征方法 | 第27-30页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| 2.2.2 拉曼散射光谱(RamanSpectra) | 第28页 |
| 2.2.3 X-射线衍射仪(XRD) | 第28页 |
| 2.2.4 双晶X-射线衍射仪(DCXRD) | 第28-29页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第29页 |
| 2.2.6 霍尔效应测试仪(HallEffect) | 第29-30页 |
| 第3章 不同外延层厚度对低温生长InP/GaAs材料的结构性能影响 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 AFM表面形貌分析 | 第30-32页 |
| 3.3 X射线衍射曲线(XRD)分析 | 第32页 |
| 3.4 拉曼图谱(Raman)分析 | 第32-35页 |
| 3.5 双晶X射线衍射曲线(DCXRD)分析 | 第35-36页 |
| 3.6 TEM微观形貌分析 | 第36-39页 |
| 3.7 Hall数据分析 | 第39-41页 |
| 3.8 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 不同退火温度对InP外延层结构和性能的影响 | 第42-66页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 不同退火温度对InP/GaAs异质外延材料的影响 | 第42-55页 |
| 4.2.1 AFM表面形貌分析 | 第42-48页 |
| 4.2.2 X射线衍射曲线(XRD)分析 | 第48-50页 |
| 4.2.3 拉曼图谱(Raman)分析 | 第50-52页 |
| 4.2.4 TEM微观形貌分析 | 第52-55页 |
| 4.3 退火后外延层厚度对InP外延层结构和性能的影响 | 第55-64页 |
| 4.3.1 AFM表面形貌分析 | 第55-59页 |
| 4.3.2 X射线衍射曲线(XRD)分析 | 第59-60页 |
| 4.3.3 拉曼图谱(Raman)分析 | 第60-61页 |
| 4.3.4 TEM微观形貌分析 | 第61-63页 |
| 4.3.5 Hall数据分析 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 不同生长温度、真空退火及外加电场下退火对InP外延层结构和性能的影响 | 第66-78页 |
| 5.1 引言 | 第66页 |
| 5.2 不同生长温度对InP外延层结构和性能的影响 | 第66-72页 |
| 5.2.1 AFM表面形貌分析 | 第66-67页 |
| 5.2.2 XRD曲线分析 | 第67-68页 |
| 5.2.3 拉曼图谱(Raman)分析 | 第68-69页 |
| 5.2.4 DCXRD摇摆曲线分析 | 第69-70页 |
| 5.2.5 TEM微观形貌分析 | 第70-71页 |
| 5.2.6 Hall数据分析 | 第71-72页 |
| 5.3 通电退火对InP/GaAs异质外延材料的影响 | 第72-74页 |
| 5.3.1 拉曼图谱(Raman)分析 | 第72-73页 |
| 5.3.2 TEM微观形貌分析 | 第73页 |
| 5.3.3 Hall数据分析 | 第73-74页 |
| 5.4 真空退火对InP/GaAs异质外延材料的影响 | 第74-76页 |
| 5.4.1 拉曼图谱(Raman)分析 | 第74-75页 |
| 5.4.2 TEM微观形貌分析 | 第75-76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 作者简介及科研成果 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
