| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 研究背景及课题来源 | 第12-13页 |
| 1.1.1 研究背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.1.2 课题来源 | 第13页 |
| 1.2 碳化硅材料及CMP技术概述 | 第13-18页 |
| 1.2.1 碳化硅材料 | 第13-15页 |
| 1.2.2 CMP技术概述 | 第15-18页 |
| 1.3 国内外相关技术研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3.1 碳化硅材料研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3.2 化学机械抛光研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 碳化硅表面化学改性原理 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 碳化硅表面化学改性原理 | 第23-28页 |
| 2.2.1 羟基自由基的生成和测定 | 第23-25页 |
| 2.2.2 碳化硅表面化学改性原理 | 第25-28页 |
| 2.3 碳化硅改性层特性实验研究 | 第28-32页 |
| 2.3.1 碳化硅表面改性层厚度实验 | 第28-31页 |
| 2.3.2 碳化硅表面改性层硬度实验 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 CMP中游离磨粒去除机理研究 | 第34-52页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 单颗磨粒压入深度建模 | 第35-39页 |
| 3.2.1 工件与抛光垫接触建模 | 第35-37页 |
| 3.2.2 磨粒压入工件表面深度 | 第37-38页 |
| 3.2.3 考虑磨粒变形的单颗磨粒压入工件表面深度 | 第38-39页 |
| 3.3 单颗磨粒去除体积 | 第39-42页 |
| 3.3.1 单颗磨粒压入工件截面面积 | 第40页 |
| 3.3.2 单颗磨粒作用长度 | 第40页 |
| 3.3.3 抛光垫与工件接触区域内速度分布 | 第40-42页 |
| 3.4 有效磨粒数计算 | 第42-44页 |
| 3.5 多颗磨粒去除建模 | 第44-46页 |
| 3.6 材料去除实验 | 第46-49页 |
| 3.6.1 实验条件 | 第46-47页 |
| 3.6.2 模型仿真和实验结果对比 | 第47-49页 |
| 3.7 本章小结 | 第49-52页 |
| 第4章 单颗磨粒对工件表面层去除仿真 | 第52-68页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 单颗磨粒抛光仿真建模 | 第53-56页 |
| 4.2.1 ABAQUS仿真流程 | 第53-55页 |
| 4.2.2 碳化硅仿真分析方案 | 第55-56页 |
| 4.3 欧拉法和拉格朗日法仿真结果对比 | 第56-59页 |
| 4.3.1 材料去除深度随压力变化 | 第57-58页 |
| 4.3.2 材料去除深度随磨粒种类变化 | 第58页 |
| 4.3.3 材料去除深度随磨粒粒径变化 | 第58-59页 |
| 4.4 拉格朗日法仿真结果与分析 | 第59-64页 |
| 4.4.1 压力对抛光过程的影响 | 第59-60页 |
| 4.4.2 速度对抛光过程的影响 | 第60-62页 |
| 4.4.3 磨粒种类对抛光过程的影响 | 第62-63页 |
| 4.4.4 磨粒粒径对抛光过程的影响 | 第63-64页 |
| 4.5 磨粒去除实验验证 | 第64-67页 |
| 4.5.1 压力对NiP抛光后表面粗糙度的影响 | 第65-66页 |
| 4.5.2 转速对NiP抛光后表面粗糙度的影响 | 第66页 |
| 4.5.3 粒径对NiP抛光后表面粗糙度的影响 | 第66-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 化学机械协同抛光去除实验研究 | 第68-80页 |
| 5.1 引言 | 第68页 |
| 5.2 化学机械协同作用对材料去除率的影响 | 第68-73页 |
| 5.2.1 化学机械协同作用机理 | 第68-71页 |
| 5.2.2 抛光过程及所用设备 | 第71-72页 |
| 5.2.3 化学机械协同作用实验验证 | 第72-73页 |
| 5.3 材料去除率的影响因素研究 | 第73-79页 |
| 5.3.1 实验所用化学药品 | 第73-74页 |
| 5.3.2 磨粒性质对材料去除率的影响 | 第74-76页 |
| 5.3.3 PH对材料去除率的影响 | 第76-77页 |
| 5.3.4 离子添加剂对材料去除率的影响 | 第77-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第6章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |