单晶硅太阳电池的低压扩散及热氧化工艺研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 研究意义及内容 | 第8-10页 |
| 第二章 单晶硅太阳能电池低压扩散的研究 | 第10-26页 |
| 2.1 引言 | 第10-12页 |
| 2.2 实验方法 | 第12-15页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第12页 |
| 2.2.2 研究内容 | 第12页 |
| 2.2.3 测试仪器 | 第12-13页 |
| 2.2.4 实验步骤及注意事项 | 第13-15页 |
| 2.3 结果及分析 | 第15-24页 |
| 2.3.1 低压扩散下硅片不同位置方块电阻对比 | 第15-16页 |
| 2.3.2 低压扩散下不同温区方块电阻对比 | 第16-17页 |
| 2.3.3 低压扩散与常压扩散的对比 | 第17-20页 |
| 2.3.4 低压扩散工艺中需要解决的关键性技术 | 第20-22页 |
| 2.3.5 低压扩散中常出现的问题及解决方法 | 第22-24页 |
| 2.4 小结 | 第24-26页 |
| 第三章 单晶硅太阳能电池热氧化的研究 | 第26-35页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验方法 | 第26-28页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第26页 |
| 3.2.2 研究内容 | 第26-27页 |
| 3.2.3 测试仪器 | 第27页 |
| 3.2.4 实验步骤及注意事项 | 第27-28页 |
| 3.3 结果及分析 | 第28-34页 |
| 3.3.1 氧化时间对生成SiO_2薄膜的影响 | 第28-29页 |
| 3.3.2 氮气流量对生成SiO_2薄膜的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.3 氧气流量对生成SiO_2薄膜的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.4 氧化温度对生成SiO_2薄膜的影响 | 第32-34页 |
| 3.4 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 结论与展望 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 致谢 | 第38页 |
