GaN基核辐射探测器研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1.绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 论文研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 核辐射探测器 | 第11-12页 |
| 1.3 核辐射探测器的分类 | 第12-14页 |
| 1.3.1 闪烁体核辐射探测器 | 第12-13页 |
| 1.3.2 气体核辐射探测器 | 第13-14页 |
| 1.3.3 半导体核辐射探测器 | 第14页 |
| 1.4 论文研究意义 | 第14-16页 |
| 1.5 论文研究内容 | 第16-17页 |
| 2.Ga N基核辐射探测器制备工艺 | 第17-35页 |
| 2.1 Ga N的物理化学性质 | 第17-20页 |
| 2.1.1 宽禁带 | 第17-18页 |
| 2.1.2 饱和电子漂移速度 | 第18页 |
| 2.1.3 抗腐蚀和抗辐照能力 | 第18页 |
| 2.1.4 热导率 | 第18-19页 |
| 2.1.5 Ga N晶体结构 | 第19-20页 |
| 2.2 Ga N生长技术 | 第20-23页 |
| 2.2.1 分子束外延（MBE） | 第21-22页 |
| 2.2.2 金属有机化学气相外延（MOCVD） | 第22页 |
| 2.2.3 氢化物气相外延（HVPE） | 第22-23页 |
| 2.3 Ga N外延生长衬底材料 | 第23-25页 |
| 2.3.1 蓝宝石衬底 | 第24页 |
| 2.3.2 碳化硅衬底 | 第24页 |
| 2.3.3 硅衬底 | 第24页 |
| 2.3.4 氮化铝衬底 | 第24-25页 |
| 2.4 欧姆接触工艺 | 第25-28页 |
| 2.4.1 欧姆接触合金方案 | 第27页 |
| 2.4.2 欧姆接触退火方案 | 第27-28页 |
| 2.5 光刻板工艺 | 第28-32页 |
| 2.5.1 光刻工艺介绍 | 第28-30页 |
| 2.5.2 光刻板设计 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-35页 |
| 3.Ga N基核辐射探测器性能仿真及制备 | 第35-55页 |
| 3.1 电学性能仿真研究 | 第35-41页 |
| 3.1.1 Silvaco TCAD软件介绍 | 第35-36页 |
| 3.1.2 仿真相关参数 | 第36-38页 |
| 3.1.3 器件仿真结果 | 第38-41页 |
| 3.2 α粒子探测仿真研究 | 第41-45页 |
| 3.2.1 器件结构建立 | 第41-42页 |
| 3.2.2 器件仿真结果 | 第42-45页 |
| 3.2.3 器件讨论与优化 | 第45页 |
| 3.3 Ga N基核辐射探测器制备工艺流程 | 第45-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-55页 |
| 4. 实验测试结果与分析 | 第55-61页 |
| 4.1 Ga N外延材料测试 | 第55-58页 |
| 4.2 Ga N基核辐射探测器电学测试 | 第58-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 5.总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 论文总结 | 第61页 |
| 5.2 未来展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 附录 | 第69页 |
