石墨烯及其纳米网的制备和工艺优化研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 新型碳材料的发展 | 第9-11页 |
| 1.2 石墨烯的性质和应用 | 第11-16页 |
| 1.2.1 石墨烯的光学性质及应用 | 第11-13页 |
| 1.2.2 石墨烯的电学性质及应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 石墨烯的力学性质及应用 | 第14-15页 |
| 1.2.4 石墨烯的热学性质及应用 | 第15-16页 |
| 1.3 石墨烯的主要制备方法 | 第16-20页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第17页 |
| 1.3.2 氧化还原法 | 第17-19页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.3.4 SiC外延生长法 | 第20页 |
| 1.4 石墨烯纳米网的简介 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 CVD系统和石墨烯常用表征技术 | 第22-27页 |
| 2.1 化学气相沉积(CVD)系统介绍 | 第22-23页 |
| 2.1.1 反应气体 | 第22页 |
| 2.1.2 混气系统 | 第22-23页 |
| 2.1.3 高温烧结炉 | 第23页 |
| 2.1.4 真空泵 | 第23页 |
| 2.2 石墨烯常用表征技术 | 第23-27页 |
| 2.2.1 光学显微镜分析 | 第23-24页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析 | 第24-25页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 | 第25页 |
| 2.2.4 原子力显微镜分析 | 第25页 |
| 2.2.5 拉曼光谱分析 | 第25-27页 |
| 第3章 高质量石墨烯制备和工艺优化 | 第27-44页 |
| 3.1 石墨烯生长工艺优化与机理研究 | 第27-39页 |
| 3.1.1 甲烷和氢气的流量对石墨烯生长的影响 | 第27-29页 |
| 3.1.2 铜箔的表面质量对石墨烯生长的影响 | 第29-36页 |
| 3.1.3 时间和压力对石墨烯生长的影响 | 第36-38页 |
| 3.1.4 大尺寸单晶石墨烯的生长 | 第38-39页 |
| 3.2 石墨烯转移工艺的优化 | 第39-43页 |
| 3.2.1 石墨烯的无PMMA转移 | 第40-41页 |
| 3.2.2 金属基底下表面石墨烯对转移的影响 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 石墨烯纳米网的制备 | 第44-56页 |
| 4.1 光刻掩膜辅助CVD法制备石墨烯纳米网 | 第44-48页 |
| 4.1.1 石墨烯掩膜刻蚀 | 第44-46页 |
| 4.1.2 催化剂预处理 | 第46-48页 |
| 4.2 阳极氧化铝模板辅助制备石墨烯纳米网 | 第48-50页 |
| 4.2.1 阳极氧化铝(AAO)作为刻蚀掩膜板 | 第48-49页 |
| 4.2.2 阳极氧化铝(AAO)作为催化剂模板 | 第49-50页 |
| 4.3 无光刻一步CVD法制备石墨烯纳米网 | 第50-55页 |
| 4.3.1 无光刻一步CVD法简介 | 第50-52页 |
| 4.3.2 “掩膜小球”分析 | 第52-53页 |
| 4.3.3 石墨烯纳米网的表征 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小节 | 第55-56页 |
| 第5章 结论与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 在校期间发表论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
