| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-11页 |
| 第2章 测量电荷密度分布的方法 | 第11-19页 |
| 2.1 实验电荷密度的研究意义 | 第11-12页 |
| 2.2 X射线和电子衍射测量晶体电荷密度 | 第12-16页 |
| 2.3 会聚束电子衍射的发展和应用 | 第16-19页 |
| 第3章 透射电子显微镜与会聚束电子衍射原理 | 第19-37页 |
| 3.1 透射电子显微镜的基本原理与结构 | 第21-23页 |
| 3.1.1 透射电子显微镜成像原理 | 第21-22页 |
| 3.1.2 透射电子显微镜构造 | 第22-23页 |
| 3.2 会聚束电子衍射实验条件 | 第23-26页 |
| 3.2.1 会聚束电子衍射介绍 | 第23-24页 |
| 3.2.2 会聚束电子衍射的实验技术 | 第24-26页 |
| 3.3 会聚束电子衍射的运动学 | 第26-30页 |
| 3.3.1 高阶劳厄带线(HOLZ)的形成 | 第26-29页 |
| 3.3.2 HOLZ精确测量电镜高压、晶格参数的原理 | 第29-30页 |
| 3.4 会聚束电子衍射测定结构因子的原理 | 第30-37页 |
| 3.4.1 会聚束电子衍射的多束动力学散射理论 | 第30-34页 |
| 3.4.2 结构因子的CBED测量 | 第34-37页 |
| 第4章 会聚束电子衍射测量Si的结构因子 | 第37-43页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 电镜加速电压的精确测量 | 第37-39页 |
| 4.2.1 实验 | 第37-38页 |
| 4.2.2 实验结果 | 第38-39页 |
| 4.3 CBED测量Si(2-20)结构因子 | 第39-41页 |
| 4.3.1 实验 | 第39-40页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第40-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第5章 总结与展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-51页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |