| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 插图目录 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 光子晶体 | 第14-18页 |
| 1.1.1 光子禁带 | 第16页 |
| 1.1.2 光子局域 | 第16-18页 |
| 1.2 负折射率材料 | 第18-21页 |
| 1.3 含双负缺陷一维光子晶体的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4 本文的研究意义及主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 含双负缺陷一维光子晶体的理论研究基础 | 第24-34页 |
| 2.1 传输矩阵 | 第24-29页 |
| 2.1.1 传输矩阵方法 | 第26-27页 |
| 2.1.2 含负折射率材料光子晶体的传输矩阵 | 第27-29页 |
| 2.2 含双负缺陷一维光子晶体的传输矩阵及色散关系 | 第29-31页 |
| 2.3 负折射率材料光子晶体的透射率 | 第31-34页 |
| 第三章 含双负缺陷一维光子晶体的光学性质 | 第34-46页 |
| 3.1 高品质缺陷模掺杂方式 | 第35-37页 |
| 3.1.1 插入法和替代法的带隙特性对比 | 第35-36页 |
| 3.1.2 替换大折射率材料与替换小折射率材料的带隙特性对比 | 第36-37页 |
| 3.2 高品质掺杂方法下缺陷模的变化规律 | 第37-46页 |
| 3.2.1 缺陷模随两缺陷间间隔层数的变化规律 | 第38-39页 |
| 3.2.2 缺陷模随缺陷层厚度的变化规律 | 第39-41页 |
| 3.2.3 缺陷模随缺陷层两侧周期数的变化规律 | 第41-43页 |
| 3.2.4 缺陷模随缺陷层折射率的变化规律 | 第43-46页 |
| 第四章 含双左手缺陷与含双右手缺陷光子晶体光学特性对比 | 第46-50页 |
| 4.1 含双左手缺陷与含双右手缺陷光子晶体的理论基础 | 第46-47页 |
| 4.2 含双左手缺陷与含双右手缺陷光子晶体的光学特性对比 | 第47-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 附录A:攻读硕士期间发表旳文章 | 第58-59页 |
