| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 本文的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 中子探测器简介 | 第12页 |
| 1.3 中子探测器的分类 | 第12-14页 |
| 1.3.1 按探测器工作介质分类 | 第13-14页 |
| 1.3.2 按探测器工作原理分类 | 第14页 |
| 1.3.3 按探测的中子能量分类 | 第14页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.4.1 国外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4.2 国内研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 本文研究的意义 | 第18-20页 |
| 1.6 本文研究的主要工作 | 第20-21页 |
| 2 半绝缘GaAs中子探测器工作原理及结构设计 | 第21-39页 |
| 2.1 中子探测器的理论基础 | 第21-22页 |
| 2.1.1 中子的基本性质 | 第21页 |
| 2.1.2 中子探测的特点 | 第21-22页 |
| 2.2 半绝缘GaAs中子探测器的能量范围及探测方法 | 第22-26页 |
| 2.2.1 中子的能量范围 | 第22页 |
| 2.2.2 中子探测方法的选择 | 第22-26页 |
| 2.3 半绝缘GaAs中子探测器的工作原理及材料结构选择 | 第26-36页 |
| 2.3.1 中子转换层的工作原理及材料选择 | 第27-29页 |
| 2.3.2 半导体二极管探测器的工作原理及结构选择 | 第29-36页 |
| 2.4 半绝缘GaAs中子探测器结构参数的设计 | 第36-38页 |
| 2.4.1 中子转换层的厚度设计 | 第36-37页 |
| 2.4.2 半导体二极管探测器的电极设计 | 第37-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 3 半绝缘GaAs肖特基型二极管探测器制备工艺及其性能测试 | 第39-67页 |
| 3.1 半绝缘GaAs肖特基型二极管探测器的制备 | 第39-45页 |
| 3.1.1 半绝缘GaAs衬底的性能参数 | 第39-40页 |
| 3.1.2 清洗工艺 | 第40-41页 |
| 3.1.3 肖特基电极的制备工艺 | 第41-44页 |
| 3.1.4 欧姆电极的制备工艺 | 第44-45页 |
| 3.2 半绝缘GaAs肖特基型二极管探测器电学特性测试 | 第45-53页 |
| 3.2.1 Ⅰ-Ⅴ特性曲线测试 | 第46-50页 |
| 3.2.2 反向泄漏电流测试 | 第50-53页 |
| 3.3 半绝缘GaAs肖特基型二极管探测器光电导效应验证 | 第53-55页 |
| 3.4 半绝缘GaAs肖特基型二极管探测器α射线探测性能测试 | 第55-60页 |
| 3.4.1 时间分辨响应测试 | 第56-57页 |
| 3.4.2 能量分辨响应测试 | 第57-60页 |
| 3.5 半绝缘GaAs肖特基型二极管探测器耐辐照特性测试 | 第60-66页 |
| 3.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 4 ~6LiF中子转换层制备工艺及其薄膜质量表征 | 第67-73页 |
| 4.1 ~6LiF中子转换层的制备 | 第67-69页 |
| 4.2 ~6LiF中子转换层的薄膜质量表征 | 第69-72页 |
| 4.2.1 ~6LiF中子转换层的形貌结构表征 | 第70页 |
| 4.2.2 ~6LiF中子转换层的元素组成测试 | 第70-72页 |
| 4.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 5 半绝缘GaAs中子探测器性能测试 | 第73-79页 |
| 5.1 半绝缘GaAs中子探测器性能测试过程 | 第73-74页 |
| 5.2 半绝缘GaAs中子探测器性能测试结果 | 第74-77页 |
| 5.3 本章小结 | 第77-79页 |
| 6 结论 | 第79-81页 |
| 6.1 总结 | 第79-80页 |
| 6.2 展望 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
