| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-44页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第11-19页 |
| 1.2 光电探测器简介 | 第19-25页 |
| 1.3 石墨烯光电探测器的研究现状 | 第25-29页 |
| 1.4 位置灵敏探测器简介及研究现状 | 第29-32页 |
| 1.5 静电探测器简介 | 第32-33页 |
| 1.6 本论文的选题依据和研究意义 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-44页 |
| 第二章 激光改性石墨烯的光电性能研究 | 第44-55页 |
| 2.1 引言 | 第44页 |
| 2.2 器件的制备和测量仪器 | 第44-45页 |
| 2.3 石墨烯器件的基本表征 | 第45-46页 |
| 2.4 激光改性石墨烯的光电响应 | 第46-48页 |
| 2.5 光电流产生机制 | 第48-51页 |
| 2.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第三章 基于石墨烯-二氧化硅/硅结构的位置灵敏探测器的研究 | 第55-67页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 探测器制备方法与测量仪器 | 第56页 |
| 3.3 探测器的工作原理 | 第56-58页 |
| 3.4 位置灵敏探测器的性能 | 第58-61页 |
| 3.5 SiO_2/Si衬底的C-V特性 | 第61-63页 |
| 3.6 石墨烯基位置灵敏探测器模型演示 | 第63-64页 |
| 3.7 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 基于石墨烯-硅复合结构的位置灵敏探测器的研究 | 第67-79页 |
| 4.1 引言 | 第67页 |
| 4.2 器件制备与测量仪器 | 第67-68页 |
| 4.3 石墨烯-硅PSD的工作原理 | 第68-70页 |
| 4.4 石墨烯-硅PSD的性能 | 第70-74页 |
| 4.5 PSD红外响应能力 | 第74-75页 |
| 4.6 PSD工作演示 | 第75-76页 |
| 4.7 本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 基于石墨烯的静电探测器的研究 | 第79-89页 |
| 5.1 引言 | 第79页 |
| 5.2 静电探测器制备与测量仪器 | 第79-81页 |
| 5.3 探测器结构和工作原理 | 第81-83页 |
| 5.4 石墨烯静电探测器的性能 | 第83-84页 |
| 5.5 静电响应的电学调制 | 第84-85页 |
| 5.6 静电探测演示 | 第85-86页 |
| 5.7 本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 第六章 总结与展望 | 第89-91页 |
| 6.1 工作总结 | 第89-90页 |
| 6.2 工作展望 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
| 在学期间发表的学术成果 | 第93-94页 |