摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 引言 | 第10-14页 |
1.1 软磁薄膜材料 | 第10-11页 |
1.2 铁钴基薄膜材料 | 第11-12页 |
1.3 稀土(RE)-过渡族(TM)金属间化合物 | 第12-14页 |
第二章 理论基础 | 第14-27页 |
2.1 材料的磁化机制 | 第14-15页 |
2.2 磁各向异性理论 | 第15-22页 |
2.2.1 磁晶各向异性 | 第16-18页 |
2.2.2 形状各向异性 | 第18-20页 |
2.2.3 感生磁各向异性 | 第20-21页 |
2.2.4 应力各向异性 | 第21-22页 |
2.3 磁化反转模型 | 第22-24页 |
2.3.1 Stoner-Wohlfarth模型(CR model) | 第22-23页 |
2.3.2 Kondorsky模型(畴壁钉扎模型) | 第23-24页 |
2.4 高频磁性的理论处理 | 第24-27页 |
第三章 样品的制备与测试 | 第27-36页 |
3.1 薄膜样品的制备 | 第27-29页 |
3.1.1 溅射镀膜的原理与方法 | 第27-28页 |
3.1.2 样品的制备 | 第28-29页 |
3.2 薄膜样品的测量 | 第29-36页 |
3.2.1 微观结构测量 | 第29-30页 |
3.2.2 样品成份的测量 | 第30-31页 |
3.2.3 样品的宏观磁性测量 | 第31-33页 |
3.2.4 样品的微区磁性测量 | 第33-34页 |
3.2.5 薄膜样品厚度的测量 | 第34页 |
3.2.6 高频磁导率的测量 | 第34-36页 |
第四章 Cu/FeCoGd/Ta薄膜的高频软磁特性 | 第36-51页 |
4.1 Cu/FeCoGd/Ta薄膜的X射线能量色散谱(EDS) | 第36-38页 |
4.2 Cu/FeCoGd/Ta薄膜的微结构 | 第38-39页 |
4.3 Cu/FeCoGd/Ta薄膜的磁性 | 第39-43页 |
4.3.1 Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的磁滞回线 | 第39-40页 |
4.3.2 Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的各向异性场分布 | 第40-41页 |
4.3.3 Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的面内畴结构 | 第41-43页 |
4.4 Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的高频特性 | 第43-46页 |
4.5 Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的磁化反转机制 | 第46-49页 |
4.6 小结 | 第49-51页 |
第五章 Cu/FeCoGd/Ta薄膜的低温磁特性 | 第51-64页 |
5.1 溅射功率为10W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜的低温磁性 | 第51-56页 |
5.1.1 溅射功率为10W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的低温磁滞回线 | 第51-52页 |
5.1.2 溅射功率为10W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜在不同温度下的剩磁比和矫顽力 | 第52-54页 |
5.1.3 溅射功率为10W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品在不同温度下的饱和磁化强度 | 第54页 |
5.1.4 溅射功率为10W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的低温各向异性 | 第54-56页 |
5.2 溅射功率为15W与20W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜的低温磁性 | 第56-60页 |
5.2.1 溅射功率为15W与20W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的低温磁滞回线 | 第56-58页 |
5.2.2 溅射功率为15W与20W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品在不同温度下的饱和磁化强度 | 第58-59页 |
5.2.3 溅射功率为15W与20W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的低温各向异性 | 第59-60页 |
5.3 溅射功率为30W的Cu/FeCoGd/Ta薄膜的低温磁性 | 第60-63页 |
5.4 小结 | 第63-64页 |
第六章 厚度对Cu/FeCoGd/Ta薄膜的结构与磁性的影响 | 第64-69页 |
6.1 不同厚度的Cu/FeCoGd/Ta薄膜的微结构 | 第64-65页 |
6.2 不同厚度的Cu/FeCoGd/Ta薄膜的静态磁性 | 第65-66页 |
6.3 不同厚度的Cu/FeCoGd/Ta薄膜样品的高频特性 | 第66-68页 |
6.4 小结 | 第68-69页 |
第七章 结论 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
在学期间的研究成果 | 第75-76页 |
致谢 | 第76页 |