| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第10-30页 |
| 1.1 选题背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体材料的发展 | 第11-13页 |
| 1.2.1 元素半导体 | 第11-12页 |
| 1.2.2 化合物半导体 | 第12-13页 |
| 1.2.3 化合物半导体发展趋势与展望 | 第13页 |
| 1.3 GaInSb晶体简介 | 第13-20页 |
| 1.3.1 GaSb晶体简介及其局限性 | 第14-15页 |
| 1.3.2 In的掺入对GaSb晶体结构和性能的影响 | 第15-17页 |
| 1.3.3 GaInSb晶体的发展现状 | 第17-20页 |
| 1.3.4 GaInSb晶体的制备难点 | 第20页 |
| 1.4 电磁场在晶体生长过程中的应用 | 第20-22页 |
| 1.4.1 电磁场的作用原理 | 第21页 |
| 1.4.2 静磁场的应用 | 第21-22页 |
| 1.4.3 动态磁场的应用 | 第22页 |
| 1.5 晶体材料的主要生长工艺 | 第22-27页 |
| 1.5.1 布里奇曼法(Bridgman) | 第23-25页 |
| 1.5.2 区熔-移动加热器法 | 第25-27页 |
| 1.5.3 提拉法(Czochralski,Cz) | 第27页 |
| 1.6 本章小结 | 第27-30页 |
| 1.6.1 本论文的研究目的 | 第28页 |
| 1.6.2 本论文的研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 实验方案及测试方法 | 第30-44页 |
| 2.1 实验原料和设备 | 第30-32页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第30页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第30-31页 |
| 2.1.3 石英管的选择 | 第31-32页 |
| 2.2 GaInSb晶体生长 | 第32-40页 |
| 2.2.1 装料和封管 | 第32-33页 |
| 2.2.2 GaInSb多晶料的合成 | 第33-35页 |
| 2.2.3 GaInSb晶体的生长 | 第35-37页 |
| 2.2.4 GaInSb晶锭样品处理 | 第37-40页 |
| 2.3 表征 | 第40-42页 |
| 2.3.1 X-射线衍射仪(XRD) | 第40页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM/EDS) | 第40-41页 |
| 2.3.3 金相显微镜 | 第41页 |
| 2.3.4 拉曼光谱仪 | 第41页 |
| 2.3.5 霍尔效应测试系统 | 第41-42页 |
| 2.3.6 傅里叶红外光谱仪(FTIR) | 第42页 |
| 2.3.7 维氏硬度仪 | 第42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 旋转磁场以及旋转频率对GaInSb晶体组织和性能的影响 | 第44-58页 |
| 3.1 旋转磁场以及旋转频率对晶体显微结构的影响 | 第45-48页 |
| 3.1.1 晶体结晶程度 | 第45-47页 |
| 3.1.2 晶体生长界面 | 第47-48页 |
| 3.2 旋转磁场以及旋转频率对晶体成分分布的影响 | 第48-50页 |
| 3.2.1 In组份偏析 | 第48-50页 |
| 3.2.2 晶体杂质分布 | 第50页 |
| 3.3 旋转磁场以及旋转频率对晶体组织缺陷的影响 | 第50-53页 |
| 3.3.1 位错密度 | 第51-52页 |
| 3.3.2 孪晶及微裂纹 | 第52-53页 |
| 3.4 旋转磁场以及旋转频率对晶体物理性能的影响 | 第53-55页 |
| 3.4.1 电学性能 | 第53-54页 |
| 3.4.2 维氏硬度 | 第54-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-58页 |
| 第四章 磁场强度对GaInSb晶体组织和性能的影响 | 第58-70页 |
| 4.1 磁场强度对晶体显微结构的影响 | 第58-60页 |
| 4.1.1 晶体结晶程度 | 第58-60页 |
| 4.1.2 晶体生长界面 | 第60页 |
| 4.2 磁场强度对晶体In组份偏析的影响 | 第60-62页 |
| 4.2.1 In组份分布 | 第61-62页 |
| 4.3 磁场强度对晶体组织缺陷的影响 | 第62-64页 |
| 4.3.1 位错密度 | 第62-63页 |
| 4.3.2 拉曼光谱分析 | 第63-64页 |
| 4.4 磁场强度对晶体物理性能的影响 | 第64-67页 |
| 4.4.1 电学性能 | 第64-65页 |
| 4.4.2 红外透过率 | 第65-66页 |
| 4.4.3 维氏硬度 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
