| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| ·背景及应用 | 第11页 |
| ·高转换速率运放的发展现状 | 第11-13页 |
| ·源端交叉耦合电路结构 | 第12页 |
| ·镜像电流源运放 | 第12页 |
| ·两单端输出镜像电流源运放组成的全差分运放 | 第12-13页 |
| ·主要内容 | 第13-15页 |
| 第2章 主要电路模块介绍 | 第15-31页 |
| ·高压摆率输入级电路 | 第15-26页 |
| ·工作原理概述 | 第15页 |
| ·差分工作时M_1、M_2的源端小信号电压 | 第15-19页 |
| ·差分工作时从输入端到M_5和M_6栅端的小信号电压增益 | 第19-20页 |
| ·差分工作状态的截止 | 第20-21页 |
| ·输入管漏端电流的最大值 | 第21-22页 |
| ·主运放零极点分析及全频率增益A_v(s) | 第22-24页 |
| ·主运放的单位增益带宽及静态偏置电流 | 第24-26页 |
| ·主运放的共模输入范围及差分输入对管静态偏置电压的确定 | 第26页 |
| ·共模反馈电路 | 第26-31页 |
| ·全差分运放必须添加共模反馈电路的原因 | 第26-27页 |
| ·所采用共模反馈电路的分析与设计 | 第27-31页 |
| 第3章 手工估算 | 第31-59页 |
| ·主要设计指标 | 第31页 |
| ·电路全景图 | 第31页 |
| ·ICMR及SR的确定 | 第31-34页 |
| ·主运放最顶层电路设计 | 第34-37页 |
| ·主运放最顶层电路 | 第34-35页 |
| ·最顶层电路中各支路静态电流 | 第35页 |
| ·主运放最顶层电路中各MOS管宽长比 | 第35-37页 |
| ·辅助运放A_1的设计 | 第37-43页 |
| ·ω_(u,Al)与ω_(u,OL)的关系 | 第37-38页 |
| ·A_1的设计指标 | 第38-39页 |
| ·补偿电容C_c的最小值 | 第39页 |
| ·确定输入级各支路电流 | 第39-40页 |
| ·计算宽长比S_1、S_0、S_3、S_2、S_4 | 第40页 |
| ·N_5的参数g_(m5)、S_5、I_(D5) | 第40-42页 |
| ·N_6的参数g_(m6)、S_6、I_(D6) | 第42页 |
| ·确定互偏置电路中各MOS管尺寸及电阻值 | 第42-43页 |
| ·增益提升运放A_(2(?))的设计 | 第43-45页 |
| ·主要指标及结构选择 | 第43页 |
| ·输入管X_1、X_2的跨导及宽长比S_1、S_2、S_0 | 第43-44页 |
| ·折叠共源支路电流I_(D3)、I_(D4)及X_3、X_4的宽长比S_3、S_4 | 第44页 |
| ·输出支路电流I_(D5)、I_(D6)的取值及M_5-M_(10)的宽长比 | 第44-45页 |
| ·增益提升运放A_(3p)的设计 | 第45页 |
| ·共模负反馈电路中各MOS管尺寸设计 | 第45-47页 |
| ·偏置电路 | 第47-59页 |
| ·宽幅镜像电流源电压偏置电路 | 第47-52页 |
| ·接入基准电流的电流偏置电路 | 第52-53页 |
| ·各模块MOS管尺寸估算值列表 | 第53-59页 |
| 第4章 仿真及结果分析 | 第59-75页 |
| ·A_1的仿真 | 第59-63页 |
| ·A_1的交流分析 | 第59-61页 |
| ·A_1转换速率 | 第61-62页 |
| ·A_1的建立时间 | 第62-63页 |
| ·A_(2n)和A_(3p)的交流分析 | 第63-66页 |
| ·整个电路的仿真 | 第66-75页 |
| ·交流分析 | 第66-69页 |
| ·输入大阶跃信号时的压摆率 | 第69-70页 |
| ·共模反馈环路的环路增益和相位裕度 | 第70-71页 |
| ·共模增益及共模抑制比 | 第71页 |
| ·共模输入范围 | 第71-72页 |
| ·单端输出电压摆幅 | 第72页 |
| ·电源抑制比PSRR | 第72-73页 |
| ·输入等效噪声 | 第73-75页 |
| 第5章 后端设计 | 第75-80页 |
| ·Pcell单元的制作 | 第75-76页 |
| ·运放各模块及整个运放的版图 | 第76-78页 |
| ·版图验证及后仿真 | 第78-80页 |
| 结论 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第85-86页 |
