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硫族半导体/石墨烯复合物修饰TiO2纳米管阵列及光催化应用

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
插图索引第11-12页
第1章 绪论第12-24页
    1.1 前言第12页
    1.2 TiO_2的性质及其应用第12页
    1.3 TiO_2纳米管阵列的背景和研究现状第12-13页
    1.4 TiO_2纳米管的制备方法第13-15页
        1.4.1 模板合成法第14页
        1.4.2 水热法第14页
        1.4.3 电化学阳极氧化法第14-15页
    1.5 TiO_2纳米管的表征方法第15-17页
        1.5.1 透射电子显微镜第15-16页
        1.5.2 扫描电子显微镜第16页
        1.5.3 EDX能谱第16页
        1.5.4 X-射线衍射第16页
        1.5.5 紫外-可见光谱第16-17页
        1.5.6 红外光谱第17页
        1.5.7 光电流表征第17页
    1.6 TiO_2纳米管的改性第17-19页
        1.6.1 量子点敏化第18页
        1.6.2 贵金属沉积第18页
        1.6.3 离子掺杂第18-19页
        1.6.4 窄禁带半导体修饰第19页
    1.7 TiO_2纳米管阵列的应用领域第19-22页
        1.7.1 传感器第20页
        1.7.2 光解水制氢第20-21页
        1.7.3 污水处理第21页
        1.7.4 治理环境有害气体第21页
        1.7.5 太阳能电池第21页
        1.7.6 其他方面的应用第21-22页
    1.8 本论文研究的意义与内容第22-24页
        1.8.1 研究目的和意义第22页
        1.8.2 研究内容第22-24页
第2章 石墨烯/CuInS_2-TiO_2纳米管阵列的制备与应用第24-37页
    2.1 引言第24-25页
    2.2 实验部分第25-27页
        2.2.1 化学药品和仪器第25页
        2.2.2 预备实验第25-27页
        2.2.3 RGO/CuInS_2-TiO_2复合材料的表征第27页
        2.2.4 光降解 2,4-D第27页
    2.3 结果与讨论第27-36页
        2.3.1 RGO/CuInS_2-TiO_2纳米管阵列形貌表征第27-28页
        2.3.2 XRD光谱分析第28-29页
        2.3.3 紫外漫反射光谱第29-30页
        2.3.4 光催化剂的光电化学性质第30-31页
        2.3.5 光催化剂的吸附能力第31-32页
        2.3.6 2,4-D 的光催化降解第32-34页
        2.3.7 不同PH值对2,4-D降解的影响第34页
        2.3.8 光催化剂的稳定性第34-35页
        2.3.9 光催化机理探讨第35-36页
    2.4 小结第36-37页
第3章 一步脉冲法制备石墨烯/CdTe-TiO_2纳米管阵列与应用第37-48页
    3.1 引言第37-38页
    3.2 实验部分第38-41页
        3.2.1 化学药品和仪器第38-39页
        3.2.2 预备实验第39-40页
        3.2.3 RGO/CdTe-TiO_2复合材料的表征第40页
        3.2.4 光降解 2,4-D第40-41页
    3.3 结果与讨论第41-47页
        3.3.1 RGO/CdTe-TiO_2纳米管阵列形貌表征第41-42页
        3.3.2 XRD光谱分析第42-43页
        3.3.3 紫外漫反射光谱第43-44页
        3.3.4 光催化剂的光电化学性质第44-45页
        3.3.5 2,4-D的光催化降解第45-47页
    3.4 小结第47-48页
结论与展望第48-49页
参考文献第49-57页
致谢第57-58页
附录 A 攻读硕士学位论文期间发表的论文及专利第58页

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