| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| CONTENTS | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnO纳米线阵列 | 第13-19页 |
| 1.2.1 ZnO纳米线的制备 | 第13-15页 |
| 1.2.2 ZnO纳米线阵列的应用 | 第15-19页 |
| 1.3 TiO_2纳米线阵列 | 第19-26页 |
| 1.3.1 TiO_2纳米线的制备 | 第21-24页 |
| 1.3.2 TiO_2纳米线阵列的应用 | 第24-26页 |
| 1.4 半导体P-N结的特性及其应用 | 第26-28页 |
| 1.5 选题意义及研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 电化学沉积制备ZnO纳米阵列及其性能表征 | 第30-48页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 试剂及仪器 | 第30-32页 |
| 2.3 有序ZnO纳米阵列的制备 | 第32页 |
| 2.4 样品表征方法 | 第32-33页 |
| 2.5 工艺条件对ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第33-40页 |
| 2.5.1 沉积电位的影响 | 第33-34页 |
| 2.5.2 沉积温度的影响 | 第34-35页 |
| 2.5.3 沉积时间的影响 | 第35-36页 |
| 2.5.4 电解液种类的影响 | 第36-40页 |
| 2.6 ZnO纳米线阵列的形貌及结构 | 第40-43页 |
| 2.7 ZnO纳米线的机理研究 | 第43-46页 |
| 2.8 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 TiO_2纳米线阵列的制备及表征 | 第48-59页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 试剂及仪器 | 第48-49页 |
| 3.3 TiO_2纳米线阵列的制备 | 第49-50页 |
| 3.3.1 FTO玻璃基底的清洗 | 第49-50页 |
| 3.3.2 TiO_2纳米线阵列的水热法制备 | 第50页 |
| 3.4 样品表征方法 | 第50页 |
| 3.5 TiO_2纳米线阵列的形貌及结构 | 第50-57页 |
| 3.6 金红石晶型形成的机理 | 第57-58页 |
| 3.7 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 三明治器件的组装及P-N结特性的测试 | 第59-71页 |
| 4.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 PANI纳米线阵列的制备及器件组装 | 第60-65页 |
| 4.2.1 实验试剂及仪器 | 第60-61页 |
| 4.2.2 PANI的制备及表征 | 第61-62页 |
| 4.2.3 ZnO/PANI器件P-N结特征曲线器件的组装 | 第62页 |
| 4.2.4 光敏气敏性能测试 | 第62-64页 |
| 4.2.5 FTO-ZnO/PANI-FTO的伏安特征曲线测试 | 第64-65页 |
| 4.3 PANI的界面聚合制备及TiO_2/PANI器件的组装 | 第65-69页 |
| 4.3.1 PANI的化学聚合法制备 | 第65-66页 |
| 4.3.2 PANI纳米线的形貌及组成 | 第66页 |
| 4.3.3 FTO-TiO_2/PANI/TiO_2-FTO的光敏性能 | 第66-68页 |
| 4.3.4 TiO_2纳米线经修饰PSS后器件的光敏性能 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-86页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
