| 致谢 | 第6-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-52页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第14-25页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构,性质及其表征 | 第14-19页 |
| 1.1.2 墨烯的制备 | 第19-23页 |
| 1.1.3 石墨烯的应用 | 第23-25页 |
| 1.2 铜基底上化学气相沉积法制备石墨烯 | 第25-46页 |
| 1.2.1 化学气相沉积法制备石墨烯概述 | 第25-38页 |
| 1.2.1.1 石墨烯成核密度,晶粒大小的控制 | 第29-32页 |
| 1.2.1.2 石墨烯生长位置的控制 | 第32-34页 |
| 1.2.1.3 石墨烯晶粒形状,边缘取向的控制 | 第34-35页 |
| 1.2.1.4 石墨烯层数的控制 | 第35-38页 |
| 1.2.2 氢对石墨烯制备的影响 | 第38-42页 |
| 1.2.3 氧对石墨烯制备的影响 | 第42-46页 |
| 1.3 石墨烯渗透性质研究 | 第46-50页 |
| 1.4 课题的提出与意义 | 第50-52页 |
| 第二章 氧在石墨烯成核中的作用 | 第52-78页 |
| 2.1 研究背景及目的 | 第52-53页 |
| 2.2 实验部分 | 第53-57页 |
| 2.2.1 试剂 | 第53页 |
| 2.2.2 石墨烯的合成 | 第53-55页 |
| 2.2.3 石墨烯的转移 | 第55-56页 |
| 2.2.4 表征方法 | 第56页 |
| 2.2.5 密度泛函理论计算 | 第56-57页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第57-76页 |
| 2.3.1 无石墨烯生长铜箔表面氧元素分布 | 第57-59页 |
| 2.3.2 石墨烯在氧元素分布不均匀的铜表面成核 | 第59-63页 |
| 2.3.3 石墨烯在氧元素分布不均匀的铜表面生长 | 第63-69页 |
| 2.3.4 石墨烯晶粒的表征 | 第69-71页 |
| 2.3.5 密度泛函理论计算石墨烯在富氧的区域成核过程 | 第71-76页 |
| 2.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 第三章 铜表面形貌和元素调控实现石墨烯可控成核和生长 | 第78-100页 |
| 3.1 研究背景及目的 | 第78-79页 |
| 3.2 实验部分 | 第79-80页 |
| 3.2.1 试剂 | 第79页 |
| 3.2.2 石墨烯制备与转移 | 第79页 |
| 3.2.3 仪器与测试条件 | 第79-80页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第80-99页 |
| 3.3.1 铜山丘形成中压强的作用 | 第80-83页 |
| 3.3.2 氧在铜表面山丘形成中的作用及其对石墨烯生长的影响 | 第83-89页 |
| 3.3.3 反应条件对于石墨烯合成的影响 | 第89-94页 |
| 3.3.4 石墨烯晶粒的表征 | 第94-95页 |
| 3.3.5 完整石墨烯薄膜的制备及性能 | 第95-99页 |
| 3.4 本章小结 | 第99-100页 |
| 第四章 化学气相沉积石墨烯的渗透性能研究 | 第100-126页 |
| 4.1 研究背景及目的 | 第100-101页 |
| 4.2 实验步骤 | 第101-104页 |
| 4.2.1 试剂 | 第101-102页 |
| 4.2.2 石墨烯的制备和转移 | 第102页 |
| 4.2.3 气体渗透石墨烯 | 第102页 |
| 4.2.4 仪器及测试 | 第102-103页 |
| 4.2.5 密度泛函理论计算 | 第103-104页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第104-124页 |
| 4.3.1 铜基底上生长石墨烯及其表征 | 第104-108页 |
| 4.3.2 石墨烯中的褶皱 | 第108-114页 |
| 4.3.3 气体穿透石墨烯褶皱的研究 | 第114-120页 |
| 4.3.4 氧原子穿透石墨烯褶皱的理论计算 | 第120-124页 |
| 4.4 本章小结 | 第124-126页 |
| 第五章 主要结论与创新点 | 第126-128页 |
| 5.1 主要结论 | 第126-127页 |
| 5.2 创新点 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-144页 |
| 作者简介 | 第144-146页 |
| 攻读博士学位期间科研成果 | 第146-147页 |
