| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 InN材料的基本结构 | 第11-12页 |
| 1.3 InN薄膜的性质及研究进展 | 第12-15页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-21页 |
| 第2章 InN薄膜的制备技术及表征方法 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 射频溅射制备InN薄膜 | 第21-23页 |
| 2.2.1 溅射镀膜基本原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 本文采用的磁控溅射设备 | 第22-23页 |
| 2.3 InN薄膜的表征方法 | 第23-26页 |
| 2.3.1 晶体结构表征 | 第23-24页 |
| 2.3.2 表面形貌及薄膜成分表征 | 第24-25页 |
| 2.3.3 光学及电学性能表征 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第3章 InN材料的晶格结构、电子结构及热电性质 | 第29-43页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 晶格结构 | 第30-31页 |
| 3.4 热输运性质 | 第31-32页 |
| 3.5 电子输运性质 | 第32-35页 |
| 3.6 电子结构 | 第35-38页 |
| 3.6.1 电子局域函数 | 第35-36页 |
| 3.6.2 能带结构 | 第36-37页 |
| 3.6.3 态密度 | 第37-38页 |
| 3.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-43页 |
| 第4章 生长参数对InN薄膜形貌及性质的影响 | 第43-59页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 N_2/Ar比例对InN薄膜形貌及性质的影响 | 第43-50页 |
| 4.2.1 薄膜的晶态分析 | 第44-45页 |
| 4.2.2 薄膜的形貌分析 | 第45-48页 |
| 4.2.3 薄膜的成分分析 | 第48-49页 |
| 4.2.4 薄膜的光学性质 | 第49-50页 |
| 4.3 衬底温度对InN薄膜形貌及性质的影响 | 第50-55页 |
| 4.3.1 薄膜的晶态分析 | 第51-52页 |
| 4.3.2 薄膜的形貌分析 | 第52-54页 |
| 4.3.3 薄膜的光学性质 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第5章 InN异质结器件制备及性能研究 | 第59-69页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 n-InN/p-GaN异质结制备及性能研究 | 第59-63页 |
| 5.2.1 n-InN/p-GaN异质结器件制备 | 第59-60页 |
| 5.2.2 n-InN/p-GaN异质结材料特性研究 | 第60-61页 |
| 5.2.3 n-InN/p-GaN异质结器件性能研究 | 第61-63页 |
| 5.3 Au/InN/NSTO/In异质结制备及性能研究 | 第63-66页 |
| 5.3.1 Au/InN/NSTO/In异质结器件制备 | 第63-64页 |
| 5.3.2 Au/InN/NSTO/In异质结材料特性研究 | 第64-65页 |
| 5.3.3 Au/InN/NSTO/In异质结器件性能研究 | 第65-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第6章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 结论 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第73-74页 |
