| 致谢 | 第9-10页 |
| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第21-38页 |
| 1.1 引言 | 第21页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第21-24页 |
| 1.3 半导体材料简介 | 第24-26页 |
| 1.4 ZnO的基本性质 | 第26-27页 |
| 1.5 ZnO发光二极管 | 第27-28页 |
| 1.6 ZnO的p型掺杂 | 第28-33页 |
| 1.7 Sb：ZnO的制备方法 | 第33-36页 |
| 1.7.1 气相法 | 第33-34页 |
| 1.7.2 液相法 | 第34-36页 |
| 1.8 本论文的研究内容及意义 | 第36-38页 |
| 1.8.1 研究内容 | 第36页 |
| 1.8.2 研究意义 | 第36-38页 |
| 第二章 实验方法与条件 | 第38-46页 |
| 2.1 电沉积系统选择 | 第38-39页 |
| 2.2 实验电极的选择 | 第39-40页 |
| 2.3 模具装置选择 | 第40-42页 |
| 2.4 实验原料与所用仪器 | 第42-43页 |
| 2.5 基本实验流程 | 第43-46页 |
| 2.5.1 基板切割与清洗 | 第43页 |
| 2.5.2 称量原料与溶液配制 | 第43页 |
| 2.5.3 后续实验流程 | 第43-46页 |
| 第三章 不同沉积电位下Sb：ZnO纳米结构的可控合成与性能 | 第46-61页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 电沉积ZnO循环伏安曲线分析 | 第46-49页 |
| 3.2.1 循环伏安法简介 | 第46-47页 |
| 3.2.2 循环伏安法实验过程 | 第47页 |
| 3.2.3 循环伏安实验结果与讨论 | 第47-49页 |
| 3.3 沉积电位对电沉积Sb：ZnO晶体生长的影响 | 第49-60页 |
| 3.3.0 样品制备 | 第49-50页 |
| 3.3.1 电沉积ZnO基本化学过程分析 | 第50-52页 |
| 3.3.2 沉积电位对Sb：ZnO纳米结构形貌的影响 | 第52-55页 |
| 3.3.3 沉积电位对Sb：ZnO纳米棒光学性能影响 | 第55-59页 |
| 3.3.4 Sb：ZnO中Sb含量随沉积电位的变化 | 第59-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 不同前驱体溶液组分下Sb：ZnO纳米结构的可控合成与性能 | 第61-71页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 前驱体溶液浓度对Sb：ZnO沉积初期的影响 | 第61-63页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第61页 |
| 4.2.2 实验结果与讨论 | 第61-63页 |
| 4.3 三氯化锑浓度对Sb：ZnO纳米棒生长的影响 | 第63-68页 |
| 4.3.1 实验过程 | 第63-64页 |
| 4.3.2 实验结果与讨论 | 第64-68页 |
| 4.4 前驱体溶液pH值对Sb：ZnO生长的影响 | 第68-70页 |
| 4.4.1 实验过程 | 第68页 |
| 4.4.2 实验结果与讨论 | 第68-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 基板选择、二次沉积及退火对Sb：ZnO晶体特性影响 | 第71-85页 |
| 5.1 引言 | 第71页 |
| 5.2 基板的影响 | 第71-79页 |
| 5.2.1 不同基板上的循环伏安分析 | 第71-73页 |
| 5.2.2 基板对Sb：ZnO纳米棒生长的影响 | 第73-79页 |
| 5.3 退火对Sb：ZnO晶体的影响 | 第79-81页 |
| 5.3.1 实验过程 | 第79-80页 |
| 5.3.2 实验结果与讨论 | 第80-81页 |
| 5.4 退火对Sb:ZnO晶体的影响 | 第81-84页 |
| 5.4.1 实验过程 | 第81页 |
| 5.4.2 实验结果与讨论 | 第81-84页 |
| 5.5 本章小结 | 第84-85页 |
| 第六章 Sb：ZnO基纳米器件的电输运性质 | 第85-106页 |
| 6.1 引言 | 第85页 |
| 6.2 Sb：ZnO纳米棒阵列电性测量 | 第85-92页 |
| 6.3 外部环境对Sb：ZnO纳米棒电输运性质的影响 | 第92-97页 |
| 6.4 离子束沉积法测量单根Sb：ZnO纳米棒电性 | 第97-105页 |
| 6.4.1 场效应晶体管确定单根纳米棒导电类型原理 | 第97-98页 |
| 6.4.2 单根纳米棒场效应晶体管的制备与测量 | 第98-102页 |
| 6.4.3 电性测量结果 | 第102-103页 |
| 6.4.4 载流子浓度与迁移率的计算 | 第103-105页 |
| 6.5 本章小结 | 第105-106页 |
| 第七章 同步辐射法探究Sb：ZnO晶体p型导电来源及Sb掺杂原子周围局部环境 | 第106-115页 |
| 7.1 引言 | 第106页 |
| 7.2 Sb：ZnO中Sb的价态 | 第106-114页 |
| 7.2.1 X射线光电子能谱分析 | 第106-108页 |
| 7.2.2 X射线吸收近边结构(XANES)分析 | 第108-110页 |
| 7.2.3 扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)分析 | 第110-114页 |
| 7.3 本章小结 | 第114-115页 |
| 第八章 全文总结、创新之处与展望 | 第115-117页 |
| 8.1 全文总结 | 第115-116页 |
| 8.2 创新之处 | 第116页 |
| 8.3 展望 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-137页 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第137页 |
