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真空热压法制备Diamond/Cu复合材料及其导热性能研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-29页
    1.1 引言第10页
    1.2 电子封装材料第10-16页
        1.2.1 电子封装简介第10-11页
        1.2.2 电子封装材料性能要求第11-12页
        1.2.3 电子封装材料的分类第12-16页
    1.3 金刚石基本性质概述第16-18页
        1.3.1 金刚石结构性质第16-17页
        1.3.2 金刚石物理化学性质第17-18页
    1.4 封装用金刚石/铜复合材料及其研究现状第18-28页
        1.4.1 金刚石与金属的作用第18-19页
        1.4.2 复合材料热导率影响因素第19-20页
        1.4.3 金刚石/铜复合材料界面优化方法第20-23页
        1.4.4 金刚石/铜复合材料的制备方法第23-28页
    1.5 本文研究的主要内容及意义第28-29页
第2章 实验工艺及研究方法第29-33页
    2.1 实验原料与设备第29-30页
    2.2 复合材料制备与性能表征第30-33页
        2.2.1 实验流程第30页
        2.2.2 真空热压烧结第30-31页
        2.2.3 试样表征与性能检测第31-33页
第3章 基体中Ti含量和烧结时间对Diamond/Cu复合材料导热性能影响第33-53页
    3.1 引言第33页
    3.2 基体中Ti元素含量对Diamond/Cu复合材料导热性能的影响第33-45页
        3.2.1 热压烧结工艺第33-35页
        3.2.2 不同Ti元素含量下的Diamond/Cu-Ti复合材料微观结构第35-40页
        3.2.3 不同Ti元素含量下的Diamond/Cu-Ti复合材料热导率第40-45页
    3.3 烧结时间对复合材料导热性能的影响第45-51页
        3.3.1 不同烧结时间下复合材料微观结构第45-50页
        3.3.2 不同烧结时间下复合材料热导率第50-51页
    3.4 本章小结第51-53页
第4章 增强体颗粒组成对Diamond/Cu-1.1 wt%Ti复合材料导热性能的影响第53-62页
    4.1 引言第53页
    4.2 金刚石颗粒组成对复合材料微观结构的影响第53-59页
    4.3 D2含量不同时Diamond/Cu-1.1wt%Ti复合材料热导率第59-61页
    4.4 本章小结及展望第61-62页
结论第62-63页
参考文献第63-71页
致谢第71-72页
附录A 攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录第72页

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