| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 热自旋电子学的产生背景 | 第10-12页 |
| 1.2 热自旋电子学的发展现状及前景 | 第12-13页 |
| 1.3 自旋塞贝克效应 | 第13-16页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 基于锯齿型SIC纳米带异质结的热自旋过滤、温控开关及负微分电阻效应 | 第17-30页 |
| 2.1 SIC纳米带的研究背景 | 第17-19页 |
| 2.2 器件模型和计算方法 | 第19-20页 |
| 2.3 热自旋过滤效应及负微分电阻效应 | 第20-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 基于锯齿型硅烯纳米带异质结热自旋电流的热电输运性质的研究 | 第30-51页 |
| 3.1 硅稀的研究背景 | 第30-31页 |
| 3.2 计算方法和参数设定 | 第31-32页 |
| 3.3 基于异质结（N-ZSINR-H）/（N-ZSINR-H2）完美的自旋塞贝克效应 | 第32-35页 |
| 3.4 自旋塞贝克效应出现的物理机制 | 第35-38页 |
| 3.5 基于异质结（N-ZSINR-H）/（N-ZSINR-H2）的奇偶效应 | 第38-40页 |
| 3.6 基于硅烯纳米带异质结的总电荷流和总自旋流的研究 | 第40-42页 |
| 3.7 基于硅烯纳米带异质结 4-ZSINRS异质结的热巨磁阻性质研究 | 第42-44页 |
| 3.8 基于 5-ZSINRS异质结热电输运的门压调节 | 第44-48页 |
| 3.9 基于（5-ZSINR-H）/（5-ZSINR-H2）异质结的自旋塞贝克二极管效应 | 第48-49页 |
| 3.10本章小结 | 第49-51页 |
| 4 全文总结和展望 | 第51-53页 |
| 4.1 全文总结 | 第51-52页 |
| 4.2 下一步的工作和展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 附录1攻读硕士学位期间已发表或正在评审的学术论文 | 第62页 |
