| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第10-15页 |
| 1.2.1 国外发展动态 | 第11-13页 |
| 1.2.2 国内发展动态 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 MEMS谐振器实现方案 | 第16-24页 |
| 2.1 电容式谐振器 | 第16-19页 |
| 2.1.1 电容式圆盘谐振器 | 第16-17页 |
| 2.1.2 电容式圆环谐振器 | 第17-19页 |
| 2.2 压电式谐振器 | 第19-22页 |
| 2.2.1 TPoS谐振器 | 第19-22页 |
| 2.2.2 AlN CMRs谐振器 | 第22页 |
| 2.3 电容式谐振器与压电式谐振器的性能综合对比 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 AlN压电谐振器的设计制作及测试建模 | 第24-40页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 TPoS压电谐振器设计 | 第24-31页 |
| 3.2.1 TPoS压电谐振器设计指标 | 第24页 |
| 3.2.2 TPoS谐振器的Q值分析 | 第24-27页 |
| 3.2.3 TPoS AlN压电谐振器工艺 | 第27-28页 |
| 3.2.4 TPoS谐振器的版图设计和加工 | 第28-31页 |
| 3.3 TPoS谐振器的测试与建模 | 第31-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 振荡器电路 | 第40-59页 |
| 4.1 引言 | 第40-42页 |
| 4.2 振荡器电路的分析 | 第42-51页 |
| 4.2.1 皮尔斯振荡器 | 第42-48页 |
| 4.2.1.1 皮尔斯振荡器设计原理 | 第42-46页 |
| 4.2.1.2 CMOS皮尔斯振荡器设计 | 第46-48页 |
| 4.2.2 反相放大器设计 | 第48-51页 |
| 4.2.2.1 单晶体管反相放大器设计 | 第48-49页 |
| 4.2.2.2 三级级联放大的振荡器电路 | 第49-50页 |
| 4.2.2.3 两级级联的振荡器电路 | 第50-51页 |
| 4.3 相位噪声分析 | 第51-58页 |
| 4.3.1 相位噪声分析 | 第51-56页 |
| 4.3.1.1 MEMS振荡器中噪声源分析 | 第51-52页 |
| 4.3.1.2 工作在非线性区的MEMS振荡器相位噪声模型 | 第52-56页 |
| 4.3.2 测试结果与分析 | 第56-58页 |
| 4.4 频率稳定度测试和分析 | 第58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 MEMS振荡器的温度补偿方案 | 第59-88页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 温度补偿方案 | 第59-87页 |
| 5.2.1 OCMO架构的温度补偿 | 第59-61页 |
| 5.2.2 TDC+PLL架构的温度补偿方案 | 第61-85页 |
| 5.2.2.1 频率综合器 | 第62-66页 |
| 5.2.2.2 SDM | 第66-71页 |
| 5.2.2.3 VCO | 第71-77页 |
| 5.2.2.4 TDC | 第77-81页 |
| 5.2.2.5 数字多项式校正器 | 第81-83页 |
| 5.2.2.6 环路分频器和输出分频器 | 第83-85页 |
| 5.2.3 谐振器的温度系数补偿 | 第85-87页 |
| 5.3 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 结论 | 第88-89页 |
| 6.1 本文工作 | 第88页 |
| 6.2 不足与改进 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-96页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第96页 |