| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 相变存储器概述 | 第13-17页 |
| 1.2.1 相变存储的机理 | 第13-14页 |
| 1.2.2 相变存储的主要工作特性 | 第14-17页 |
| 1.3 低功耗PCM 的主要研究方向 | 第17-22页 |
| 1.3.1 相变材料方面的研究 | 第18-19页 |
| 1.3.2 器件结构方面的研究 | 第19-22页 |
| 1.4 多位存储PCM 的研究现状 | 第22-25页 |
| 1.4.1 具有多态存储特性的相变材料 | 第23-24页 |
| 1.4.2 利用层叠结构实现多态存储 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文的研究意义和内容 | 第25-27页 |
| 1.5.1 本论文的研究意义 | 第25-26页 |
| 1.5.2 本论文的主要内容 | 第26-27页 |
| 第2章 相变存储器件的ANSYS 有限元分析方法 | 第27-38页 |
| 2.1 有限元分析方法与传热学基本原理 | 第27-33页 |
| 2.1.1 有限元分析方法概述 | 第27-30页 |
| 2.1.2 传热学基础 | 第30-33页 |
| 2.2 相变存储器件的ANSYS 有限元分析方法 | 第33-37页 |
| 2.2.1 相变存储器件热电耦合场分析的理论基础 | 第33-34页 |
| 2.2.2 ANSYS 有限元分析方法 | 第34-37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 材料热电特性对相变存储器功耗的影响研究 | 第38-47页 |
| 3.1 相变材料热电性能的影响 | 第38-41页 |
| 3.1.1 相变材料动态热导率对有限元分析结果准确性的影响 | 第38-39页 |
| 3.1.2 相变材料晶态电阻率的影响 | 第39-41页 |
| 3.2 加热电极材料电阻率的影响 | 第41-43页 |
| 3.3 加绝热材料层对温度分布的影响 | 第43-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 PCM 基本单元结构尺寸低功耗优化及界面热阻对功耗的影响 | 第47-59页 |
| 4.1 PCM 基本单元结构尺寸低功耗优化 | 第47-52页 |
| 4.1.1 小电极优化 | 第47-50页 |
| 4.1.2 结构尺寸的优化 | 第50-52页 |
| 4.2 界面热阻对功耗的影响 | 第52-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 层叠结构多态PCM 建模仿真与低功耗优化 | 第59-66页 |
| 5.1 层叠结构的建立 | 第59-61页 |
| 5.2 层叠结构 PCM 的 ANSYS 有限元仿真结果 | 第61-63页 |
| 5.3 引入低功耗优化后的结果 | 第63-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 附录: 层叠结构多态 PCM ANSYS 有限元分析代码 | 第71-75页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
