| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| 第二章 材料背景 | 第13-22页 |
| 2.1 ZnO的特性 | 第13-16页 |
| 2.1.1 ZnO晶体结构和性能 | 第13-15页 |
| 2.1.2 ZnO的本征缺陷 | 第15-16页 |
| 2.1.3 ZnO薄膜的能级 | 第16页 |
| 2.2 MgO和Mg_xZn_(1-x)O的特性 | 第16-19页 |
| 2.2.1 MgO单晶 | 第16-18页 |
| 2.2.2 Mg_xZn_(1-x)O | 第18-19页 |
| 2.3 Si衬底的特性 | 第19-22页 |
| 第三章 ZnO与Mg_xZn_(1-x)O薄膜的制备及表征 | 第22-39页 |
| 3.1 射频磁控溅射法 | 第22-27页 |
| 3.1.1 原理 | 第22-24页 |
| 3.1.2 设备与样品制备 | 第24-27页 |
| 3.2 薄膜表征 | 第27-38页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第27-31页 |
| 3.2.2 X射线衍射(XRD) | 第31-35页 |
| 3.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第35-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 ZnO与Mg_xZn_(1-x)O薄膜的光学特性研究 | 第39-67页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 折射率和色散关系 | 第40-52页 |
| 4.2.1 棱镜耦合法(PC) | 第40-43页 |
| 4.2.2 椭圆偏振法(SE) | 第43-49页 |
| 4.2.2.1 基本原理 | 第43-47页 |
| 4.2.2.2 SE800型紫外／可见光椭偏仪 | 第47-49页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第49-52页 |
| 4.3 光致发光(PL) | 第52-66页 |
| 4.3.1 半导体中辐射复合过程 | 第52-57页 |
| 4.3.2 ZnO本征点缺陷对发光的影响 | 第57-60页 |
| 4.3.2.1 紫外带边发射峰 | 第58页 |
| 4.3.2.2 可见光发射 | 第58-60页 |
| 4.3.3 实验方法 | 第60-61页 |
| 4.3.4 结果与讨论 | 第61-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及奖励 | 第76-77页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第77页 |