| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 共振隧穿二极管的概述及其工作机理 | 第9-11页 |
| 1.2 共振隧穿二极管的应用 | 第11页 |
| 1.3 共振隧穿二极管作为太赫兹波辐射源 | 第11-15页 |
| 1.3.1 太赫兹波技术概要 | 第11-12页 |
| 1.3.2 太赫兹共振隧穿二极管的材料生长背景和国内外现状 | 第12-15页 |
| 1.4 课题研究的目的和意义 | 第15-16页 |
| 1.5 课题研究工作和安排 | 第16-17页 |
| 第二章 共振隧穿二极管的模拟仿真和设计 | 第17-47页 |
| 2.1 以InP为衬底的RTD材料体系概要及设计原则 | 第17-19页 |
| 2.2 非平衡格林函数方法 | 第19-28页 |
| 2.2.1 非平衡格林函数定义 | 第19-22页 |
| 2.2.2 非平衡格林函数理论 | 第22-25页 |
| 2.2.3 Silvaco半导体工艺和器件仿真软件 | 第25-28页 |
| 2.3 InP衬底的RTD外延材料结构设计 | 第28-40页 |
| 2.4 GaN基RTD外延材料结构设计 | 第40-46页 |
| 2.4.1 GaN材料优点 | 第40-41页 |
| 2.4.2 GaN基RTD材料设计和仿真 | 第41-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 共振隧穿二极管材料生长与测试分析 | 第47-61页 |
| 3.1 MOCVD系统及优势 | 第47-49页 |
| 3.2 InP衬底的RTD外延材料结构生长 | 第49-52页 |
| 3.2.1 InP外延片基本参数信息 | 第49页 |
| 3.2.2 RTD外延结构制备 | 第49-52页 |
| 3.3 InP衬底的RTD测试 | 第52-60页 |
| 3.3.1 SEM原理及在外延材料中的表征与测试 | 第52-57页 |
| 3.3.2 XRD原理及在外延材料中的表征与测试 | 第57-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 结论和展望 | 第61-63页 |
| 4.1 研究结论 | 第61页 |
| 4.2 研究展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
