STT-MTJ建模与相关保留寄存器研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 图索引 | 第12-14页 |
| 表索引 | 第14-15页 |
| 1. 绪论 | 第15-22页 |
| 1.1 选题背景与研究意义 | 第15页 |
| 1.2 保留寄存器简介 | 第15-17页 |
| 1.3 自旋转移力矩磁隧道结简介 | 第17-20页 |
| 1.3.1 STT-MTJ的特点 | 第17-18页 |
| 1.3.2 STT-MTJ的工艺现状 | 第18-19页 |
| 1.3.3 STT-MTJ寄存器的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 论文的创新点 | 第20-21页 |
| 1.5 论文主要内容与论文结构 | 第21-22页 |
| 2 STT-MTJ的建模与仿真 | 第22-39页 |
| 2.1 STT-MTJ建模 | 第22-30页 |
| 2.1.1 STT-MTJ电阻 | 第23-24页 |
| 2.1.2 临界电流 | 第24-25页 |
| 2.1.3 翻转条件 | 第25-27页 |
| 2.1.4 热扰动 | 第27-28页 |
| 2.1.5 整体实现 | 第28-30页 |
| 2.2 仿真模型的验证 | 第30-38页 |
| 2.2.1 P状态仿真 | 第30-31页 |
| 2.2.2 AP状态仿真 | 第31-33页 |
| 2.2.3 R-I曲线仿真 | 第33-35页 |
| 2.2.4 数据保存时间仿真 | 第35-38页 |
| 2.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 3 STT-MTJ保留寄存器的电路设计 | 第39-50页 |
| 3.1 整体结构的选择 | 第39-40页 |
| 3.2 主从级的电路设计 | 第40-43页 |
| 3.2.1 结构设计 | 第40-43页 |
| 3.2.2 晶体管参数选取 | 第43页 |
| 3.3 STT-MTJ写电路 | 第43-45页 |
| 3.3.1 结构设计 | 第43-44页 |
| 3.3.2 晶体管参数选取 | 第44-45页 |
| 3.4 STT-MTJ读电路 | 第45-47页 |
| 3.4.1 结构设计 | 第45-46页 |
| 3.4.2 晶体管参数选取 | 第46-47页 |
| 3.5 整体电路及版图实现 | 第47-49页 |
| 3.5.1 结构设计 | 第47-48页 |
| 3.5.2 版图实现 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 4 实验结果与分析讨论 | 第50-64页 |
| 4.1 仿真环境 | 第50页 |
| 4.2 功能仿真 | 第50-55页 |
| 4.2.1 DFF模式 | 第50-51页 |
| 4.2.2 数据保存模式 | 第51-53页 |
| 4.2.3 数据恢复模式 | 第53-54页 |
| 4.2.4 待机模式 | 第54-55页 |
| 4.2.5 结论 | 第55页 |
| 4.3 与传统STT-MTJ寄存器对比 | 第55-58页 |
| 4.3.1 参数汇总 | 第56-57页 |
| 4.3.2 对比分析 | 第57-58页 |
| 4.3.3 结论 | 第58页 |
| 4.4 与现有的STT-MTJ保留寄存器对比 | 第58-63页 |
| 4.4.1 参数汇总 | 第59-60页 |
| 4.4.2 对比分析 | 第60-63页 |
| 4.4.3 结论 | 第63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 5 总结和展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |
| 作者攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70页 |
