氮化铜薄膜及其钨掺杂的结构与性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 氮化铜的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2 氮化铜薄膜的主要性能 | 第10-11页 |
| 1.2.1 电学性能 | 第10页 |
| 1.2.2 光学性能 | 第10-11页 |
| 1.2.3 热稳定性 | 第11页 |
| 1.3 氮化铜薄膜的应用前景及研究概况 | 第11-13页 |
| 1.4 氮化铜薄膜的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.5 基底偏压在沉积薄膜中的作用 | 第14-17页 |
| 1.5.1 结构-区域模型(SZM) | 第14-16页 |
| 1.5.2 原子层注入效应 | 第16页 |
| 1.5.3 偏压对薄膜生长的影响 | 第16-17页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 氮化铜薄膜的制备与表征 | 第18-26页 |
| 2.1 中频磁控溅射制备氮化铜薄膜 | 第18-21页 |
| 2.1.1 中频磁控溅射原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第19-20页 |
| 2.1.3 氮化铜薄膜的制备工艺 | 第20-21页 |
| 2.2 氮化铜及W掺杂氮化铜薄膜的表征 | 第21-26页 |
| 3 脉冲偏压对氮化铜薄膜结构及性能的影响 | 第26-46页 |
| 3.1 偏压的SRIM程序模拟 | 第26-27页 |
| 3.2 沉积速率 | 第27-28页 |
| 3.3 表面形貌 | 第28-30页 |
| 3.4 微观相结构 | 第30-32页 |
| 3.4.1 偏压对氮化铜薄膜微观结构的影响 | 第30-31页 |
| 3.4.2 退火对氮化铜薄膜微观结构的影响 | 第31-32页 |
| 3.5 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第32-34页 |
| 3.6 膜基结合强度 | 第34-38页 |
| 3.6.1 氮化铜薄膜与不同基底的膜基结合强度 | 第34-35页 |
| 3.6.2 偏压对氮化铜薄膜膜基结合强度的影响 | 第35-38页 |
| 3.7 显微硬度 | 第38-39页 |
| 3.8 电阻率 | 第39-40页 |
| 3.9 耐腐蚀性能 | 第40-45页 |
| 3.9.1 偏压对氮化铜薄膜耐腐蚀性的影响 | 第40-42页 |
| 3.9.2 沉积时间对氮化铜薄膜耐腐蚀性的影响 | 第42-43页 |
| 3.9.3 不同基底上氮化铜薄膜的耐腐蚀性 | 第43-45页 |
| 3.10 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 氮气比例对W掺杂氮化铜薄膜结构及性能的影响 | 第46-53页 |
| 4.1 沉积速率 | 第46-47页 |
| 4.2 表面形貌 | 第47-48页 |
| 4.3 微观结构 | 第48-49页 |
| 4.3.1 氮气比例对W掺杂氮化铜薄膜结构的影响 | 第48页 |
| 4.3.2 退火对W掺杂氮化铜薄膜结构的影响 | 第48-49页 |
| 4.4 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第49-51页 |
| 4.5 膜基结合强度 | 第51-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
