| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景 | 第8页 |
| 1.2 用于健康监测的应变传感器对比 | 第8-12页 |
| 1.2.1 光纤光栅传感器 | 第8-9页 |
| 1.2.2 压电传感器 | 第9-10页 |
| 1.2.3 形状记忆合金 | 第10-11页 |
| 1.2.4 碳纤维 | 第11-12页 |
| 1.2.5 金属应变计 | 第12页 |
| 1.3 厚膜电阻的发展 | 第12-15页 |
| 1.4 论文主要工作内容 | 第15-16页 |
| 第2章 厚膜电阻应变计的制备及测试 | 第16-46页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 实验原材料和仪器 | 第16-20页 |
| 2.2.1 实验原材料 | 第16-19页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第19-20页 |
| 2.3 厚膜电阻应变计的制备 | 第20-22页 |
| 2.3.1 图形设计 | 第20页 |
| 2.3.2 图版制作 | 第20-21页 |
| 2.3.3 浆料印刷 | 第21页 |
| 2.3.4 流平及干燥 | 第21页 |
| 2.3.5 电极（电阻）烧结 | 第21-22页 |
| 2.3.6 导线焊接 | 第22页 |
| 2.4 厚膜电阻应变计性能表征 | 第22-27页 |
| 2.4.1 厚膜电阻应变计应变系数 | 第22-27页 |
| 2.4.2 厚膜电阻应变计电阻温度系数 | 第27页 |
| 2.5 厚膜电阻应变计数据采集与处理 | 第27-33页 |
| 2.5.1 静态应变仪的测量原理 | 第28-31页 |
| 2.5.2 金属应变计测试 | 第31-32页 |
| 2.5.3 厚膜电阻应变计接入静态应变仪 | 第32-33页 |
| 2.6 实验结果与讨论 | 第33-45页 |
| 2.6.1 厚膜电阻应变计性能参数 | 第33-39页 |
| 2.6.2 金属应变计验证实验 | 第39-41页 |
| 2.6.3 厚膜电阻应变计接入静态应变仪桥路选择 | 第41-42页 |
| 2.6.4 厚膜电阻应变计与金属应变计同侧粘贴 | 第42-44页 |
| 2.6.5 厚膜电阻应变计与金属应变计异侧粘贴 | 第44-45页 |
| 2.7 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 厚膜电阻浆料的改性方法研究 | 第46-64页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 改性剂的选择 | 第46页 |
| 3.3 改性实验 | 第46-63页 |
| 3.3.1 改性剂的掺杂制度 | 第46-47页 |
| 3.3.2 分散时间的选择 | 第47-49页 |
| 3.3.3 研磨时间选择 | 第49-52页 |
| 3.3.4 三氧化钨（WO_3）改性实验及结果 | 第52-56页 |
| 3.3.5 钛酸钡（BaTiO_3）改性实验及结果 | 第56-59页 |
| 3.3.6 氧化铝（Al_2O_3）改性实验及结果 | 第59-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 厚膜电阻微观结构及导电机理分析 | 第64-76页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 SEM 实验准备 | 第64页 |
| 4.3 厚膜电阻应变计 SEM 分析 | 第64-71页 |
| 4.3.1 未改性厚膜电阻 SEM | 第64-66页 |
| 4.3.2 纳米 BaTiO_3改性厚膜电阻 SEM | 第66-68页 |
| 4.3.3 纳米 WO_3改性厚膜电阻 SEM | 第68-70页 |
| 4.3.4 纳米 Al_2O_3改性厚膜电阻 SEM | 第70-71页 |
| 4.4 厚膜电阻导电机理 | 第71-75页 |
| 4.4.1 隧道效应对电阻应变性的定性解释 | 第72-73页 |
| 4.4.2 微观物理机理对电阻应变性解释 | 第73-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
