相变存储单元抗光子辐照性能的蒙特卡罗模拟研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 相变存储器的物理基础 | 第11-13页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4 课题研究的意义与内容 | 第15-16页 |
| 2 X（γ）射线与相变存储单元的相互作用 | 第16-25页 |
| 2.1 射线与存储单元作用的宏观现象 | 第16-21页 |
| 2.2 高能光子与相变介质的微观作用 | 第21-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 3 蒙特卡罗方法在光子辐照过程中的应用 | 第25-33页 |
| 3.1 蒙特卡罗方法在光子输运中的具体运用 | 第25-30页 |
| 3.2 终止条件及记录 | 第30-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 4 相变存储单元光子辐照仿真系统 | 第33-39页 |
| 4.1 电性能仿真原理 | 第33-34页 |
| 4.2 热性能仿真原理 | 第34-35页 |
| 4.3 相变性能仿真原理 | 第35-36页 |
| 4.4 存储元电阻的求解 | 第36页 |
| 4.5 存储单元辐照仿真系统的框架 | 第36-38页 |
| 4.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 5 相变存储单元抗光子辐照性能仿真及结果分析 | 第39-55页 |
| 5.1 静态存储单元抗光子辐照性能 | 第39-44页 |
| 5.2 动态存储单元抗光子辐照性能 | 第44-49页 |
| 5.3 存储单元抗辐照性能的注量率仿真及分析 | 第49-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 6 总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 总结 | 第55-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 附录Ⅰ 硕士期间参与的课题 | 第63-64页 |
| 附录Ⅱ 运用XCOM得到的部分质量衰减系数值 | 第64-65页 |
