| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第5-7页 |
| 1.1 微波器件概述 | 第5-6页 |
| 1.2 论文的内容和结构安排 | 第6-7页 |
| 第二章 GaAs HBT的基本介绍和特性分析 | 第7-23页 |
| 2.1 微波器件的常用材料体系 | 第7-9页 |
| 2.2 各种类型的微波器件 | 第9-10页 |
| 2.3 HBT的特点和研究概况 | 第10-13页 |
| 2.3.1 HBT的特点 | 第10页 |
| 2.3.2 HBT的研究概况 | 第10-12页 |
| 2.3.3 InGaP/GaAs HBT的特点和研究概况 | 第12-13页 |
| 2.4 HBT材料生长技术 | 第13-14页 |
| 2.4.1 MBE简介 | 第13页 |
| 2.4.2 MBE的基本原理 | 第13-14页 |
| 2.5 HBT的材料结构及原理 | 第14-16页 |
| 2.6 HBT的主要特性 | 第16-23页 |
| 2.6.1 频率和功率 | 第16-18页 |
| 2.6.2 电流增益 | 第18-20页 |
| 2.6.3 热可靠性 | 第20-21页 |
| 2.6.4 开启电压和膝点电压 | 第21-23页 |
| 第三章 Gain Block的电路研究 | 第23-31页 |
| 3.1 达林顿结构 | 第23-24页 |
| 3.2 达林顿管的阻抗设计 | 第24-27页 |
| 3.3 达林顿管的线性度设计 | 第27-31页 |
| 第四章 Gain Block的设计和仿真 | 第31-45页 |
| 4.1 电路结构分析 | 第31-33页 |
| 4.2 仿真结果 | 第33-40页 |
| 4.3 封装和版图设计 | 第40-41页 |
| 4.4 封装测试结果 | 第41-45页 |
| 第五章 总结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |