| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 聚合物基复合介电材料 | 第12-20页 |
| 1.2.1 聚合物基复合介电材料分类 | 第12-15页 |
| 1.2.2 聚合物基复合材料介电性能影响因素 | 第15-19页 |
| 1.2.3 聚合物基复合介电材料未来研究方向 | 第19-20页 |
| 1.3 导电填料/聚合物介电材料的逾渗行为 | 第20-23页 |
| 1.3.1 逾渗理论 | 第20-21页 |
| 1.3.2 导电填料在基体中逾渗阈值影响因素 | 第21-22页 |
| 1.3.3 导电填料/聚合物介电材料逾渗行为待解决的问题 | 第22-23页 |
| 1.4 MWCNT/PVDF介电材料 | 第23-26页 |
| 1.4.1 PVDF结构与性能 | 第23-24页 |
| 1.4.2 MWCNTs结构和性能 | 第24页 |
| 1.4.3 MWCNT/PVDF介电材料研究现状 | 第24-26页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 材料制备及试验方法 | 第28-34页 |
| 2.1 技术路线 | 第28-29页 |
| 2.2 试验原料 | 第29-30页 |
| 2.2.1 化学试剂 | 第29页 |
| 2.2.2 原始MWCNTs | 第29-30页 |
| 2.2.3 原始PVDF粉体 | 第30页 |
| 2.3 PVDF基复合膜制备工艺流程 | 第30-31页 |
| 2.3.1 MWCNTs酸化处理 | 第30-31页 |
| 2.3.2 MWCNT@PDA制备 | 第31页 |
| 2.3.3 MWCNT/PVDF和MWCNT@PDA/PVDF复合膜制备 | 第31页 |
| 2.4 退火处理 | 第31-32页 |
| 2.5 分析表征技术 | 第32-33页 |
| 2.5.1 形貌表征 | 第32页 |
| 2.5.2 物相表征 | 第32页 |
| 2.5.3 DSC热性能分析 | 第32-33页 |
| 2.6 介电性能测试 | 第33-34页 |
| 2.6.1 介电常数和介电损耗 | 第33页 |
| 2.6.2 击穿场强 | 第33-34页 |
| 第3章 MWCNT/PVDF复合膜制备工艺的优化 | 第34-46页 |
| 3.1 MWCNT/PVDF复合膜酸化工艺分析 | 第34-40页 |
| 3.1.1 酸化MWCNTs形貌和结构 | 第34-36页 |
| 3.1.2 MWCNTs酸化机理分析 | 第36-37页 |
| 3.1.3 酸化MWCNTs的分散性 | 第37-38页 |
| 3.1.4 酸化MWCNT/PVDF复合膜结构和介电性能 | 第38-40页 |
| 3.2 MWCNT/PVDF成膜工艺分析 | 第40-44页 |
| 3.2.1 成膜温度对PVDF基复合膜结构和介电性能的影响 | 第40-43页 |
| 3.2.2 成膜时间对PVDF基复合膜结构和介电性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 MWCNT/PVDF复合膜的逾渗行为与介电性能 | 第46-65页 |
| 4.1 MWCNTs体积分数对MWCNT/PVDF复合膜结构的影响 | 第46-51页 |
| 4.1.1 MWCNT/PVDF复合膜的截面形貌 | 第46-48页 |
| 4.1.2 MWCNT/PVDF复合膜的表面粗糙度 | 第48-50页 |
| 4.1.3 MWCNT/PVDF复合膜的 β 相相对含量 | 第50-51页 |
| 4.2 MWCNTs体积分数对MWCNT/PVDF复合膜性能的影响 | 第51-59页 |
| 4.2.1 MWCNT/PVDF复合膜的热性能 | 第51-53页 |
| 4.2.2 MWCNT/PVDF复合膜的电导率 | 第53-54页 |
| 4.2.3 MWCNT/PVDF复合膜的介电性能 | 第54-57页 |
| 4.2.4 MWCNT/PVDF复合膜的击穿场强 | 第57-59页 |
| 4.3 MWCNT/PVDF复合膜逾渗行为与介电特性分析 | 第59-64页 |
| 4.3.1 MWCNT/PVDF复合膜逾渗行为分析 | 第59-61页 |
| 4.3.2 MWCNT/PVDF复合膜介电特性分析 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第5章 MWCNT@PDA/PVDF膜的制备与储能性能 | 第65-84页 |
| 5.1 PDA对MWCNTs的包覆 | 第65-71页 |
| 5.1.1 MWCNT@PDA颗粒形貌和结构 | 第65-69页 |
| 5.1.2 PDA包覆机理分析 | 第69-71页 |
| 5.2 PDA包覆厚度对MWCNT@PDA/PVDF膜结构和性能的影响 | 第71-76页 |
| 5.2.1 PDA包覆厚度对PVDF基复合膜结构的影响 | 第71-72页 |
| 5.2.2 PDA包覆厚度对PVDF基复合膜介电性能的影响 | 第72-74页 |
| 5.2.3 PDA包覆厚度对PVDF基复合膜击穿场强的影响 | 第74页 |
| 5.2.4 PDA包覆厚度对PVDF基复合膜储能密度的影响 | 第74-76页 |
| 5.3 MWCNTs填充比对CNT@PDA/PVDF膜结构和性能的影响 | 第76-79页 |
| 5.3.1 MWCNTs体积分数对PVDF基复合膜结构的影响 | 第76-77页 |
| 5.3.2 MWCNTs体积分数对PVDF基复合膜介电性能的影响 | 第77-78页 |
| 5.3.3 MWCNTs体积分数对PVDF基复合膜击穿场强的影响 | 第78-79页 |
| 5.3.4 MWCNTs体积分数对PVDF基复合膜储能密度的影响 | 第79页 |
| 5.4 退火对MWCNT@PDA/PVDF复合膜介电性能的影响 | 第79-82页 |
| 5.4.1 MWCNT@PDA/PVDF复合膜的热分析 | 第80页 |
| 5.4.2 退火温度对PVDF基复合膜介电性能的影响 | 第80-81页 |
| 5.4.3 退火时间对PVDF基复合膜介电性能的影响 | 第81-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
