二维拓扑材料可饱和吸收体的制备及其超快特性的研究

摘要	第3-5页
ABSTRACT	第5-6页
第一章 绪论	第8-12页
1.1 二维拓扑材料的应用及研究现状	第8-9页
1.2 课题研究背景及意义	第9-10页
1.3 课题研究的主要内容	第10-12页
第二章 短脉冲的产生机理	第12-19页
2.1 被动调Q机理	第12-14页
2.2 被动锁模机理	第14-15页
2.3 二维拓扑材料的可饱和吸收体特性	第15-17页
2.4 二维拓扑材料的制备	第17-18页
2.5 本章总结	第18-19页
第三章 利用二硫化钼可饱和吸收体产生纳秒脉冲	第19-25页
3.1 二硫化钼Nd:GYSGG被动调Q的研究	第19-22页
3.2 二硫化钼Nd:GYSGG调Q锁模的研究	第22-23页
3.3 本章总结	第23-25页
第四章 利用二硫化钨可饱和吸收体产生纳秒脉冲	第25-32页
4.1 二硫化钨Nd:GYSGG被动调Q的研究	第25-28页
4.2 二硫化钨Nd:GYSGG调Q锁模的研究	第28-31页
4.3 本章小结	第31-32页
第五章 利用碲化锑可饱和吸收体产生纳秒脉冲	第32-36页
5.1 拓扑绝缘体的结构与应用	第32页
5.2 碲化锑Nd:YVO4调Q锁模的研究	第32-34页
5.3 本章小结	第34-36页
第六章 总结与展望	第36-38页
6.1 全文总结	第36-37页
6.2 工作展望	第37-38页
参考文献	第38-43页
致谢	第43-44页
攻读硕士期间发表的论文	第44页