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BESⅢ上D+→KS,L0K+(π0)的实验研究

摘要第19-21页
Abstract第21-22页
1 引言第23-33页
    1.1 标准模型第23-26页
    1.2 D介子物理第26-27页
    1.3 选题背景第27-31页
    1.4 论文结构第31-33页
2 北京正负电子对撞机和北京谱仪第33-45页
    2.1 北京正负电子对撞机(BEPC Ⅱ)第33-34页
    2.2 北京谱仪(BES Ⅲ)第34-40页
        2.2.1 BES Ⅲ的物理目标第34页
        2.2.2 BES Ⅲ探测器的总体性能第34-35页
        2.2.3 束流管第35-36页
        2.2.4 主漂移室第36-37页
        2.2.5 飞行时间计数器第37页
        2.2.6 电磁量能器第37-38页
        2.2.7 μ子鉴别器第38页
        2.2.8 超导磁体第38页
        2.2.9 触发判选系统第38-40页
        2.2.10 电子学系统第40页
        2.2.11 在线数据获取系统第40页
    2.3 BES Ⅲ离线软件系统第40-43页
        2.3.1 BES Ⅲ离线数据处理计算环境第40-41页
        2.3.2 BES Ⅲ离线数据框架第41-42页
        2.3.3 BES Ⅲ探测器模拟系统第42页
        2.3.4 BES Ⅲ离线重建系统第42-43页
        2.3.5 BES Ⅲ离线刻度系统第43页
        2.3.6 BES Ⅲ物理分析工具软件第43页
    2.4 本章小结第43-45页
3 粒子重建及其判选标准第45-51页
    3.1 带电及中性径迹的判选第45-46页
        3.1.1 带电径迹的判选条件第45-46页
        3.1.2 中性径迹的判选条件第46页
    3.2 粒子重建第46-49页
        3.2.1 粒子鉴别第46页
        3.2.2 π~0的重建第46-47页
        3.2.3 K_S~0的重建第47页
        3.2.4 K_L~0的重建第47-49页
    3.3 D介子的重建第49页
    3.4 本章小结第49-51页
4 衰变道D~+→K_(S,L)~0K~+ (π~0)绝对分支比测量及其CP破坏的寻找第51-105页
    4.1 分析方法第51-52页
    4.2 数据与蒙特卡洛样本第52-53页
    4.3 单标记第53-58页
        4.3.1 事例选择第53-57页
        4.3.2 数据中的单标记产额第57-58页
    4.4 双标记第58-66页
        4.4.1 事例选择第58-63页
        4.4.2 数据中的双标记产额第63-66页
    4.5 K_L~0效率修正第66-70页
    4.6 条件效率第70-73页
    4.7 信号道的分支比第73-74页
    4.8 CP不对称参数的测量第74-81页
        4.8.1 分支比测量方法寻找CP破缺第74-77页
        4.8.2 Dalitz图分区方法寻找CP破缺第77-81页
    4.9 系统误差第81-99页
        4.9.1 K介子的寻迹效率第84页
        4.9.2 K介子的粒子鉴别效率第84页
        4.9.3 π~0的效率第84页
        4.9.4 K_S~0效率修正第84-90页
        4.9.5 K_L~0效率修正第90页
        4.9.6 额外的χ~2条件第90-92页
        4.9.7 共振态子结构第92页
        4.9.8 单标记的M_(BC)拟合第92-93页
        4.9.9 双标记的M_(BC)拟合第93-94页
        4.9.10 双标记中的峰状本底第94-96页
        4.9.11 △E条件第96-99页
    4.10 结果与讨论第99页
        4.10.1 分支比测量第99页
        4.10.2 CP不对称参数的测量第99页
    4.11 正确性检测第99-104页
        4.11.1 分支比测量方法的检测第100页
        4.11.2 △E筛选条件的检测第100-101页
        4.11.3 条件效率的检测第101-104页
    4.12 本章小结第104-105页
5 衰变道D~+→K_S~0K~+π~0的Dalitz图分析第105-119页
    5.1 事例选择第105-106页
    5.2 拟合方法第106-113页
        5.2.1 概率密度函数第106-108页
        5.2.2 效率参数化第108-109页
        5.2.3 本底参数化第109页
        5.2.4 Dalitz图拟合第109-113页
    5.3 输入输出检查第113页
    5.4 本章小结第113-119页
6 D介子主要衰变道的△E系统误差研究第119-123页
    6.1 研究方法第119页
    6.2 △E范围要求第119-121页
    6.3 二维拟合第121页
    6.4 本章小结第121-123页
7 总结与展望第123-125页
    7.1 衰变道D~+K_(S,L)~0K~+(π~0)绝对分支比测量及其CP破坏的寻找第123页
    7.2 衰变道D~+→K_S~0K~+π~0的Dalitz图分析第123页
    7.3 D介子主要衰变道的△E系统误差研究第123-125页
附录A D~+→K_(S,L)~0K~+(π~0)的双标记二维拟合分布图第125-153页
参考文献第153-159页
致谢第159-161页
发表的论文第161-162页
学位论文评阅及答辩情况表第162页

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