摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 ESD现象概述及静电放电模型 | 第11-13页 |
1.2 集成电路中ESD测试方法 | 第13-14页 |
1.3 电源管理芯片研究背景及现状 | 第14-16页 |
1.4 电源管理芯片的ESD防护研究背景及现状 | 第16-17页 |
1.5 本论文主要工作及各章安排 | 第17-19页 |
第2章 基于TCAD软件的ESD仿真介绍 | 第19-27页 |
2.1 仿真流程简介 | 第19-21页 |
2.2 ESD仿真中物理模型的选择 | 第21-22页 |
2.3 物理模型中关键性能参数对仿真结果的影响 | 第22-24页 |
2.4 器件仿真中收敛性问题的处理 | 第24-25页 |
2.5 本章小结 | 第25-27页 |
第3章 ESD防护器件的测试仿真与分析设计 | 第27-49页 |
3.1 常见I/O接口的ESD防护器件及电路 | 第27-29页 |
3.2 MOS类器件仿真拟合 | 第29-31页 |
3.2.1 结构描述及原理分析 | 第29-30页 |
3.2.2 测试结果与仿真拟合 | 第30-31页 |
3.3 LSCR器件仿真拟合 | 第31-34页 |
3.3.1 结构描述及原理分析 | 第31-33页 |
3.3.2 测试结果与仿真拟合 | 第33-34页 |
3.4 MLSCR器件仿真拟合 | 第34-37页 |
3.4.1 结构描述及原理分析 | 第34-36页 |
3.4.2 测试结果与仿真拟合 | 第36-37页 |
3.5 双向SCR类器件研究设计 | 第37-43页 |
3.5.1 双向SCR类器件触发电压及维持电压的研究 | 第37-40页 |
3.5.2 提高双向SCR器件耐压值的研究与设计 | 第40-43页 |
3.6 保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响 | 第43-47页 |
3.6.1 LDMOS-SCR结构及其非均匀开启 | 第44-45页 |
3.6.2 保护环版图结构的设计 | 第45页 |
3.6.3 叉指非均匀开启的仿真及测试 | 第45-47页 |
3.7 本章小结 | 第47-49页 |
第4章 DC-DC转换器 | 第49-59页 |
4.1 DC-DC转换器简介 | 第49页 |
4.2 DC-DC转换器功能分类 | 第49-52页 |
4.2.1 降压型DC-DC转换器 | 第49-51页 |
4.2.2 升压型DC-DC转换器 | 第51页 |
4.2.3 降压-升压型DC-DC转换器 | 第51-52页 |
4.3 DC-DC转换器的调制方式 | 第52-55页 |
4.3.1 脉冲宽度调制(PWM) | 第52-54页 |
4.3.2 脉冲频率调制(PFM) | 第54-55页 |
4.4 DC-DC转换器效率研究 | 第55-57页 |
4.4.1 DC-DC转换器的功耗损失 | 第55-57页 |
4.4.2 DC-DC转换器的效率 | 第57页 |
4.5 本章小结 | 第57-59页 |
第5章 宽负载范围的高效降压型DC-DC转换器设计 | 第59-81页 |
5.1 基本原理与系统结构 | 第59-61页 |
5.2 具体电路设计 | 第61-74页 |
5.2.1 主电路中储能器件的选择 | 第61-62页 |
5.2.2 误差放大器 | 第62-67页 |
5.2.3 锯齿波发生器 | 第67-68页 |
5.2.4 PWM比较器 | 第68-69页 |
5.2.5 死区及驱动电路 | 第69-71页 |
5.2.6 电平转换电路 | 第71-72页 |
5.2.7 电流检测电路 | 第72页 |
5.2.8 分裂晶体管 | 第72-73页 |
5.2.9 逻辑控制电路 | 第73-74页 |
5.3 整体电路仿真与分析 | 第74-78页 |
5.4 本设计与其他设计的比较 | 第78-79页 |
5.5 本章小结 | 第79-81页 |
第6章 总结与展望 | 第81-83页 |
参考文献 | 第83-89页 |
致谢 | 第89-91页 |
在读期间发表的学术论文 | 第91页 |