| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·存储器的介绍 | 第8-19页 |
| ·磁存储器(Magnetoresisitive Random Access Memory, MRAM) | 第9页 |
| ·铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM) | 第9-10页 |
| ·相变存储器(Phase Change Memory, PCM) | 第10-11页 |
| ·阻变存储器(Resistance Random Access Memory, RRAM) | 第11-19页 |
| ·本论文的研究的意义和内容 | 第19-21页 |
| ·研究的意义 | 第19页 |
| ·研究的内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 BaTiO_3材料的介绍 | 第26-36页 |
| ·BaTiO_3材料的结构、性质和应用 | 第26-28页 |
| ·BaTiO_3非易失性阻变存储器的研究 | 第28-32页 |
| ·本章总结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第三章 Cu/BaTiO_3/Ag的电阻开关特性 | 第36-48页 |
| ·Cu/BaTiO_3/Ag样品制备与表征 | 第36-38页 |
| ·Cu/BaTiO_3/Ag薄膜的制备 | 第36页 |
| ·Cu/BaTiO_3/Ag薄膜的表征 | 第36-38页 |
| ·Cu/BaTiO_3/Ag器件的阻变特性 | 第38-46页 |
| ·本章总结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 ZnO/BaTiO_3/ZnO的电阻开关特性 | 第48-55页 |
| ·ZnO/BaTiO_3/ZnO器件的制备与表征 | 第48页 |
| ·ZnO/BaTiO_3/ZnO器件的制备 | 第48页 |
| ·ZnO/BaTiO_3/ZnO器件样品的表征 | 第48页 |
| ·ZnO/BaTiO_3/ZnO器件的电阻开关特性 | 第48-53页 |
| ·本章总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
