摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-18页 |
第一章 绪论 | 第18-27页 |
·研究背景 | 第18-19页 |
·晶硅薄膜太阳电池简介 | 第19-25页 |
·太阳电池发展简介 | 第19-22页 |
·晶硅薄膜太阳电池简介 | 第22-25页 |
·本文的研究内容 | 第25-27页 |
第二章 薄膜的制备方法及原理 | 第27-46页 |
·主要实验设备及原料 | 第27-28页 |
·主要实验设备原理介绍 | 第28-35页 |
·热丝 CVD 简介 | 第28-31页 |
·LPCVD 简介 | 第31-32页 |
·电化学全面积腐蚀单晶硅片制备双层多孔硅简介 | 第32-35页 |
·快速热退火简介 | 第35页 |
·实验方法 | 第35-38页 |
·衬底清洗 | 第35-36页 |
·热丝 CVD 沉积硅薄膜 | 第36-37页 |
·LPCVD 外延晶硅薄膜 | 第37页 |
·电化学腐蚀制备双层多孔硅 | 第37页 |
·快速热退火处理 | 第37-38页 |
·电极制备 | 第38页 |
·样品性能表征方法及原理 | 第38-46页 |
·X 射线衍射 | 第38-39页 |
·Raman 散射光谱 | 第39-40页 |
·傅里叶变换红外谱(FT-IR) | 第40-41页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第41页 |
·台阶仪 | 第41-42页 |
·变温电导率 | 第42-43页 |
·薄膜光响应 | 第43页 |
·太阳电池转换效率 | 第43-44页 |
·太阳电池外量子效率 | 第44-46页 |
第三章 热丝 CVD 制备硅薄膜研究 | 第46-61页 |
·热丝温度对硅薄膜性能的影响 | 第46-49页 |
·衬底温度对硅薄膜性能的影响 | 第49-51页 |
·H_2稀释比对硅薄膜及其 p-n 结性能的影响 | 第51-56页 |
·不同衬底对热丝 CVD 制备多晶硅薄膜性能的影响 | 第56-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
第四章 快速热退火制备多晶硅薄膜研究 | 第61-75页 |
·退火温度对快速热退火晶化法制备多晶硅薄膜性能影响 | 第61-66页 |
·退火时间对快速热退火晶化法制备多晶硅薄膜性能影响 | 第66-69页 |
·不同退火条件对多晶硅薄膜 p-n 结耐高温特性的影响 | 第69-70页 |
·不同工艺对厚度为微米级多晶硅薄膜与衬底粘附性的影响 | 第70-73页 |
·本章小结 | 第73-75页 |
第五章 薄膜型 HIT 太阳电池关键工艺研究 | 第75-95页 |
·LPCVD 外延晶硅薄膜的性能 | 第76-79页 |
·钝化层沉积温度对薄膜型 HIT 太阳电池性能的影响 | 第79-84页 |
·不同 H_2稀释比沉积钝化层对薄膜型 HIT 太阳电池性能的影响 | 第84-87页 |
·发射极厚度对薄膜型 HIT 太阳电池性能的影响 | 第87-88页 |
·发射极掺杂浓度对薄膜型 HIT 太阳电池性能的影响 | 第88-94页 |
·本章小结 | 第94-95页 |
第六章 衬底偏压对热丝 CVD 沉积微晶硅薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第95-121页 |
·衬底偏压对硅薄膜结构性能的影响 | 第95-106页 |
·衬底偏压对较低热丝温度沉积微晶硅薄膜性能的影响 | 第95-97页 |
·热丝温度对衬底偏压辅助热丝 CVD 沉积微晶硅薄膜性能的影响 | 第97-99页 |
·衬底偏压对不同类型衬底上沉积硅薄膜性能的影响 | 第99-102页 |
·衬底偏压对高氢气稀释比沉积硅薄膜性能的影响 | 第102-106页 |
·衬底偏压对掺杂微晶硅薄膜电学性能的影响 | 第106-114页 |
·衬底偏压对 p 型微晶硅薄膜电学性能的影响 | 第106-111页 |
·衬底偏压对 n 型微晶硅薄膜电学性能的影响 | 第111-114页 |
·衬底偏压对热丝 CVD 制备 n+nipp+太阳电池性能的影响 | 第114-119页 |
·不同衬底偏压对 n+n-i-pp+太阳电池性能的影响 | 第114-116页 |
·不同掺杂层厚度对 n+n-i-pp+太阳电池性能的影响 | 第116-117页 |
·不同吸收层厚度对 n+n-i-pp+太阳电池性能的影响 | 第117-119页 |
·本章小结 | 第119-121页 |
第七章 结论及展望 | 第121-125页 |
·结论 | 第121-122页 |
·本文主要创新点 | 第122-123页 |
·展望 | 第123-125页 |
参考文献 | 第125-136页 |
致谢 | 第136-137页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第137-139页 |