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晶硅薄膜的制备及其在太阳电池中的应用

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-18页
第一章 绪论第18-27页
   ·研究背景第18-19页
   ·晶硅薄膜太阳电池简介第19-25页
     ·太阳电池发展简介第19-22页
     ·晶硅薄膜太阳电池简介第22-25页
   ·本文的研究内容第25-27页
第二章 薄膜的制备方法及原理第27-46页
   ·主要实验设备及原料第27-28页
   ·主要实验设备原理介绍第28-35页
     ·热丝 CVD 简介第28-31页
     ·LPCVD 简介第31-32页
     ·电化学全面积腐蚀单晶硅片制备双层多孔硅简介第32-35页
     ·快速热退火简介第35页
   ·实验方法第35-38页
     ·衬底清洗第35-36页
     ·热丝 CVD 沉积硅薄膜第36-37页
     ·LPCVD 外延晶硅薄膜第37页
     ·电化学腐蚀制备双层多孔硅第37页
     ·快速热退火处理第37-38页
     ·电极制备第38页
   ·样品性能表征方法及原理第38-46页
     ·X 射线衍射第38-39页
     ·Raman 散射光谱第39-40页
     ·傅里叶变换红外谱(FT-IR)第40-41页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第41页
     ·台阶仪第41-42页
     ·变温电导率第42-43页
     ·薄膜光响应第43页
     ·太阳电池转换效率第43-44页
     ·太阳电池外量子效率第44-46页
第三章 热丝 CVD 制备硅薄膜研究第46-61页
   ·热丝温度对硅薄膜性能的影响第46-49页
   ·衬底温度对硅薄膜性能的影响第49-51页
   ·H_2稀释比对硅薄膜及其 p-n 结性能的影响第51-56页
   ·不同衬底对热丝 CVD 制备多晶硅薄膜性能的影响第56-60页
   ·本章小结第60-61页
第四章 快速热退火制备多晶硅薄膜研究第61-75页
   ·退火温度对快速热退火晶化法制备多晶硅薄膜性能影响第61-66页
   ·退火时间对快速热退火晶化法制备多晶硅薄膜性能影响第66-69页
   ·不同退火条件对多晶硅薄膜 p-n 结耐高温特性的影响第69-70页
   ·不同工艺对厚度为微米级多晶硅薄膜与衬底粘附性的影响第70-73页
   ·本章小结第73-75页
第五章 薄膜型 HIT 太阳电池关键工艺研究第75-95页
   ·LPCVD 外延晶硅薄膜的性能第76-79页
   ·钝化层沉积温度对薄膜型 HIT 太阳电池性能的影响第79-84页
   ·不同 H_2稀释比沉积钝化层对薄膜型 HIT 太阳电池性能的影响第84-87页
   ·发射极厚度对薄膜型 HIT 太阳电池性能的影响第87-88页
   ·发射极掺杂浓度对薄膜型 HIT 太阳电池性能的影响第88-94页
   ·本章小结第94-95页
第六章 衬底偏压对热丝 CVD 沉积微晶硅薄膜及其太阳电池性能的影响第95-121页
   ·衬底偏压对硅薄膜结构性能的影响第95-106页
     ·衬底偏压对较低热丝温度沉积微晶硅薄膜性能的影响第95-97页
     ·热丝温度对衬底偏压辅助热丝 CVD 沉积微晶硅薄膜性能的影响第97-99页
     ·衬底偏压对不同类型衬底上沉积硅薄膜性能的影响第99-102页
     ·衬底偏压对高氢气稀释比沉积硅薄膜性能的影响第102-106页
   ·衬底偏压对掺杂微晶硅薄膜电学性能的影响第106-114页
     ·衬底偏压对 p 型微晶硅薄膜电学性能的影响第106-111页
     ·衬底偏压对 n 型微晶硅薄膜电学性能的影响第111-114页
   ·衬底偏压对热丝 CVD 制备 n+nipp+太阳电池性能的影响第114-119页
     ·不同衬底偏压对 n+n-i-pp+太阳电池性能的影响第114-116页
     ·不同掺杂层厚度对 n+n-i-pp+太阳电池性能的影响第116-117页
     ·不同吸收层厚度对 n+n-i-pp+太阳电池性能的影响第117-119页
   ·本章小结第119-121页
第七章 结论及展望第121-125页
   ·结论第121-122页
   ·本文主要创新点第122-123页
   ·展望第123-125页
参考文献第125-136页
致谢第136-137页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第137-139页

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