| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·计算物理学和计算机模拟 | 第9页 |
| ·薄膜沉积和生长 | 第9-10页 |
| ·薄膜沉积和生长的微观动力学研究 | 第10-13页 |
| ·本论文的主要研究内容和创新点 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第13页 |
| ·本论文的创新点 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-18页 |
| 第二章 模拟模型介绍 | 第18-24页 |
| ·分子动力学 | 第18-19页 |
| ·第一性原理和VASP | 第19-20页 |
| ·Monte Carlo模拟 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第三章 Cu(100)表面原子势垒的计算和原子构型的演化 | 第24-48页 |
| ·Cu(100)表面Cu原子的运动及其动力学研究 | 第24页 |
| ·计算方法 | 第24-27页 |
| ·晶格常数的计算 | 第24-25页 |
| ·势垒的计算 | 第25-27页 |
| ·构型分类 | 第27-37页 |
| ·构型分类方法 | 第27-28页 |
| ·基本类 | 第28-33页 |
| ·导出类构型 | 第33-36页 |
| ·较远原子的影响 | 第36-37页 |
| ·原子势垒的参数化回归分析 | 第37-38页 |
| ·双原子岛、三原子岛和稳定构型 | 第38-40页 |
| ·原子构型的演化分析 | 第40-42页 |
| ·Cu原子跳跃过程中的位移分析 | 第42-45页 |
| ·衬底的弛豫 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 Cu(100)表面原子岛的扩散 | 第48-73页 |
| ·扩散的Monte Carlo模型 | 第48-49页 |
| ·原子岛的扩散 | 第49-71页 |
| ·模型的基本影响因素和模拟条件 | 第49-51页 |
| ·双原子岛的扩散 | 第51-52页 |
| ·三原子岛的扩散 | 第52-55页 |
| ·四原子岛的扩散 | 第55-58页 |
| ·五原子岛的扩散 | 第58-61页 |
| ·六原子岛的扩散 | 第61-64页 |
| ·其他多原子岛的扩散 | 第64-68页 |
| ·不同尺寸原子岛的扩散参数的分析 | 第68-71页 |
| ·本章小结 | 第71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 Cu(100)表面薄膜的脉冲沉积 | 第73-92页 |
| ·脉冲沉积 | 第73页 |
| ·模拟模型 | 第73-76页 |
| ·单次脉冲沉积 | 第76-79页 |
| ·沉积条件和参数 | 第76页 |
| ·低强度单次沉积 | 第76-79页 |
| ·多次脉冲沉积 | 第79-90页 |
| ·多次脉冲沉积的模拟处理 | 第79-80页 |
| ·低温下的多次沉积 | 第80-82页 |
| ·常温下不同强度的多次沉积 | 第82-84页 |
| ·衬底加温条件下的多次沉积 | 第84-89页 |
| ·模拟结果讨论 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第六章 总结和建议 | 第92-97页 |
| ·本文总结 | 第92-95页 |
| ·原子势垒和原子构型 | 第92-93页 |
| ·原子岛扩散 | 第93-94页 |
| ·脉冲沉积 | 第94-95页 |
| ·进一步工作的建议 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| 后记 | 第97-99页 |
| —、攻博期间的课题研究 | 第97页 |
| 二、攻博期间已发表和待发表的论文 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |