| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·辐照损伤国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 SiC 的结构性质、缺陷及辐照损伤 | 第12-29页 |
| ·SiC 的晶体结构 | 第12-14页 |
| ·SiC 的电学性能 | 第14-17页 |
| ·SiC 能带结构 | 第14-15页 |
| ·SiC 的掺杂 | 第15-16页 |
| ·SiC 载流子的迁移率 | 第16-17页 |
| ·晶体缺陷 | 第17-24页 |
| ·缺陷种类 | 第18页 |
| ·点缺陷的产生和迁移 | 第18-21页 |
| ·点缺陷的缔合与缺陷簇 | 第21-22页 |
| ·点缺陷对晶体性能的影响 | 第22-24页 |
| ·SiC 的辐照损伤 | 第24-29页 |
| ·辐照损伤的产生 | 第24-27页 |
| ·辐照缺陷的退火 | 第27-28页 |
| ·载流子通过深能级的俘获和复合 | 第28-29页 |
| 第三章 测试与表征 | 第29-45页 |
| ·霍尔测试原理和方法 | 第29-38页 |
| ·霍尔测试原理 | 第29-30页 |
| ·欧姆接触 | 第30-35页 |
| ·欧姆接触形成机理 | 第30-34页 |
| ·欧姆接触评价标准 | 第34-35页 |
| ·未辐照 6H-SiC 单晶的样品表征 | 第35-38页 |
| ·非接触电阻率测试仪简介 | 第38-40页 |
| ·XRD 测试技术简介 | 第40-42页 |
| ·LCR 测试仪简介 | 第42-45页 |
| 第四章 实验结果与讨论 | 第45-58页 |
| ·实验概述 | 第45-46页 |
| ·辐照效应 | 第46-51页 |
| ·辐照与电阻率的变化 | 第46-47页 |
| ·辐照与结构变化 | 第47-48页 |
| ·辐照与介电性能及极化机制 | 第48-51页 |
| ·退火效应 | 第51-57页 |
| ·中子辐照 6H-SiC 的电阻率随不同退火温度的变化 | 第51-53页 |
| ·中子辐照 6H-SiC 介电性能随不同退火温度的变化 | 第53-57页 |
| ·元素嬗变在退火中的作用 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |