| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 电子密度泛函理论 | 第10-20页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第10-13页 |
| ·绝热近似(Born-Oppenheimer近似) | 第11页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第11-13页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第13-15页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第13-14页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第14-15页 |
| ·能量交换相关泛函 | 第15-17页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第15-16页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第16-17页 |
| ·杂化密度泛函 | 第17页 |
| ·密度泛函理论的常用计算软件包 | 第17-20页 |
| 第2章 分子电子学 | 第20-36页 |
| ·分子电子学的发展 | 第20-21页 |
| ·分子器件的输运特性 | 第21页 |
| ·分子电子学实验方法 | 第21-23页 |
| ·分子自旋电子学 | 第23页 |
| ·分子电子学的电子输运理论 | 第23-33页 |
| ·Landauer-Buttiker理论 | 第23-24页 |
| ·非平衡格林函数(NEGF)结合密度泛函理论(DFT)方法的理论框架 | 第24-31页 |
| ·密度矩阵和电流的具体计算方案 | 第31-33页 |
| ·电子输运理论计算常用的软件 | 第33-36页 |
| 第3章 不对称边界含NV缺陷石墨烯条带的自旋输运 | 第36-46页 |
| ·研究背景 | 第36-37页 |
| ·计算模型与方法 | 第37-38页 |
| ·H-ZGNR-NV-H_2单胞的电子性质与分子结的输运性质 | 第38-45页 |
| ·H-12ZGNR-P_4-NV-H_2电极单胞的电子性质 | 第38-39页 |
| ·H-12ZGNR-P_4-NV-H_2分子结的输运性质 | 第39-42页 |
| ·掺杂位置对输运性质的影响 | 第42-43页 |
| ·条带宽度对输运性质的影响 | 第43-44页 |
| ·H/H2边界与NV掺杂的相对位置对输运性质的影响 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 对称边界含NV缺陷石墨烯条带的自旋输运特性 | 第46-52页 |
| ·计算模型与方法 | 第46-47页 |
| ·H-ZGNR-NV-H单胞的电子性质与分子结的输运性质 | 第47-51页 |
| ·H-12ZGNR-P_4-NV-H电极单胞的电子性质 | 第47-48页 |
| ·H-12ZGNR-P_4-NV-H分子结的输运性质 | 第48-50页 |
| ·掺杂位置对输运性质的影响 | 第50页 |
| ·条带宽度对输运性质的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 在读期间发表的学术论文和取得的研究成果 | 第58页 |
