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勾型磁场条件下400mm大直径直拉单晶硅生产工艺的研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-17页
   ·引言第7-8页
   ·太阳能电池研究现状第8-10页
     ·太阳能电池的分类及优缺点第8-9页
     ·晶体硅电池的发转趋势第9-10页
   ·单晶硅太阳能电池简介第10-15页
     ·单晶硅电池的制备方法第10-12页
     ·直拉单晶娃的生产工艺第12-13页
     ·直拉单晶硅的制备技术及发展现状第13-15页
   ·本文主要研究内容第15-17页
第二章 大直径直拉单晶硅生长理论和模型建立第17-25页
   ·单晶硅生长理论第17-20页
     ·直拉单晶硅中的熔体对流第17-18页
     ·各工艺参数对单晶生长的影响第18-20页
   ·CGsim软件简介第20页
   ·模型建立第20-25页
     ·直拉单晶炉介绍第20-21页
     ·数值模型介绍第21-25页
第三章 磁场拉晶参数的确定第25-39页
   ·勾型磁场作用原理第25页
   ·磁场结构的确定第25-33页
     ·磁场位置的确定第26-30页
     ·上下线圈电流比值的确定第30-33页
   ·磁场强度对大直径直拉单晶硅过程的影响第33-36页
   ·本章小结第36-39页
第四章 晶埚转和拉速对大直径直拉单晶硅生产过程的影响第39-49页
   ·埚转的影响第39-42页
   ·晶转的影响第42-45页
   ·拉速的影响第45-47页
   ·本章小结第47-49页
第五章 氩气进口流动对大直径直拉单晶硅生产参数的影响第49-69页
   ·不同氩气进口流速下自由表面上方气体流场的演变过程第49-53页
     ·不同氩气进口流速下热屏外侧体气体流场的演变第49-51页
     ·不同氣气进口流速下琳祸拐角处气体流场的演变第51-53页
   ·不同氩气进口流速对自由表面的影响第53-56页
     ·氩气流速对自由表面上氧含量分布的影响第53-55页
     ·氩气进口流速对自由表面温度分布的影响第55-56页
   ·氩气进口流速对熔体的影响第56-58页
     ·不同氦气进口流速卜溶体对流的演变第56-57页
     ·氩气流速对固液界面的影响第57-58页
   ·不同氩气进口速度下熔体的温度分布及氧含量第58-62页
     ·氩气进口流速对熔体温度分布的影响第58-61页
     ·氩气流速对熔体中氧含量的影响第61-62页
   ·不同氩气进口流速对晶体的影响第62-66页
     ·不同氩气进口流速下弯月面上方气体流场演变第62-64页
     ·不同氩气进口流速下晶体中热应力的分布第64-66页
     ·氩气流速对晶体中氧含量的影响第66页
   ·本章小结第66-69页
第六章 结论第69-71页
参考文献第71-75页
致谢第75-77页
个人简介第77页

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