| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-11页 |
| ·本文的主要工作和结构 | 第11-12页 |
| 第二章 多芯片组件光互连 | 第12-26页 |
| ·多芯片组件技术 | 第12-16页 |
| ·多芯片组件的基本结构 | 第12-13页 |
| ·多芯片组件的特点和分类 | 第13-15页 |
| ·光互连在多芯片组件中的运用 | 第15-16页 |
| ·多芯片组件光互连的特点与基本结构 | 第16-22页 |
| ·多芯片组件光互连的特点 | 第16页 |
| ·多芯片组件光互连的基本结构 | 第16-22页 |
| ·多芯片组件光互连关键器件及技术 | 第22-24页 |
| ·多芯片组件光互连关键器件 | 第22-23页 |
| ·多芯片组件光互连关键技术 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 适用于 MCM 光互连的激光器及其驱动电路概述 | 第26-40页 |
| ·半导体激光器简介 | 第26-29页 |
| ·激光器分类 | 第26-28页 |
| ·VCSEL 基本结构与理论 | 第28-29页 |
| ·激光器驱动电路 | 第29-38页 |
| ·输入缓冲结构 | 第30-31页 |
| ·主放大级电路 | 第31-34页 |
| ·带宽拓展技术 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 MCM 光互连的光接收机系统分析及设计 | 第40-68页 |
| ·光探测器理论 | 第40-44页 |
| ·半导体光探测器原理 | 第40-42页 |
| ·半导体光探测器分类 | 第42-43页 |
| ·光探测器特性参数 | 第43-44页 |
| ·前置放大器原理分析 | 第44-48页 |
| ·前置放大器主要参数分析 | 第45页 |
| ·前置放大器结构 | 第45-48页 |
| ·前置放大器设计与仿真分析 | 第48-54页 |
| ·跨阻放大器设计 | 第48-52页 |
| ·前置放大器的仿真分析 | 第52-54页 |
| ·主放大器原理分析 | 第54-59页 |
| ·主放大器类型选择 | 第54-55页 |
| ·限幅放大器原理分析 | 第55-58页 |
| ·限幅放大器结构 | 第58-59页 |
| ·限幅放大器主要参数 | 第59页 |
| ·限幅放大器设计及仿真分析 | 第59-66页 |
| ·基本放大单元设计 | 第60-63页 |
| ·直流偏移消除和输入输出缓冲结构 | 第63-64页 |
| ·限幅放大器模拟分析结果 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 光波导理论分析与 SiO_2矩形波导设计 | 第68-92页 |
| ·光波导理论 | 第68-75页 |
| ·平面波导分析方法 | 第68-71页 |
| ·三维波导分析方法 | 第71-74页 |
| ·光束传播法 | 第74-75页 |
| ·光波导传输模式与损耗 | 第75-78页 |
| ·光波导传输模式 | 第75-77页 |
| ·光波导的损耗 | 第77-78页 |
| ·可用于 MCM 光互连的光波导材料 | 第78-80页 |
| ·聚合物材料 | 第79页 |
| ·SiO_2材料 | 第79页 |
| ·铌酸锂材料 | 第79-80页 |
| ·光波导构成的耦合器件 | 第80-82页 |
| ·Y 分支光功率分配器 | 第80-81页 |
| ·MMI 耦合器 | 第81-82页 |
| ·SiO_2矩形 Y 分支光波导设计与仿真 | 第82-90页 |
| ·矩形 SiO_2波导设计及仿真 | 第82页 |
| ·S 臂 Y 分支构建 | 第82-84页 |
| ·多模干涉耦合区的引入 | 第84-86页 |
| ·带多模干涉区的 Y 分支 | 第86-89页 |
| ·与锥形过渡区的 Y 分支结构对比 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第六章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-100页 |