| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 概论 | 第9-19页 |
| ·存储器市场现状 | 第9-11页 |
| ·STT-MRAM 内涵 | 第11-15页 |
| ·MRAM 工作原理及特点 | 第11-13页 |
| ·STT-MRAM 工作原理及特点 | 第13-15页 |
| ·STT-MRAM 发展现状及前景 | 第15-16页 |
| ·本文研究意义 | 第16-17页 |
| ·本文研究目的及内容 | 第17-19页 |
| 2 STT-MRAM 信息存储机理理论研究 | 第19-35页 |
| ·铁磁性材料中的磁矩矢量运动 | 第19-21页 |
| ·无阻尼情况下磁矩矢量的运动 | 第19-20页 |
| ·有阻尼情况下磁矩矢量的运动 | 第20-21页 |
| ·MTJ 自由层有效场 | 第21-25页 |
| ·MTJ 自由层各向异性场 | 第23-24页 |
| ·MTJ 自由层退磁场 | 第24-25页 |
| ·自由层有效场的能量表示 | 第25页 |
| ·极化电流产生的自旋矩作用 | 第25-31页 |
| ·自旋矩作用研究 | 第26-27页 |
| ·MTJ 中电子自旋传输特性研究 | 第27-30页 |
| ·自旋矩的双重作用 | 第30-31页 |
| ·牛顿迭代法数值求解 LLGS 方程 | 第31-35页 |
| 3 STT-MRAM 信息存储过程仿真 | 第35-52页 |
| ·STT-MRAM 信息存储仿真系统设计 | 第35-38页 |
| ·STT-MRAM 信息存储过程仿真结果 | 第38-52页 |
| ·相关参数对 STT-MRAM 信息写入过程的影响 | 第38-49页 |
| ·不同自由层材料及 MTJ 形状的仿真结果 | 第49-52页 |
| 4 减小 STT 转换电流密度的措施研究 | 第52-59页 |
| ·MTJ 自由层材料参数优化 | 第53-54页 |
| ·MTJ 及自由层结构优化 | 第54-56页 |
| ·垂直各向异性 MTJ | 第56-59页 |
| 5 STT-MRAM 单元可靠性理论分析 | 第59-64页 |
| ·STT-MRAM 读写误码的原因及改善方法 | 第59-60页 |
| ·STT-MRAM 热稳定性分析 | 第60-62页 |
| ·MTJ 隔离层耐电击穿特性分析 | 第62-64页 |
| 6 总结与展望 | 第64-65页 |
| 7 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 附录 | 第71页 |