| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·碳化硅材料简介 | 第10-12页 |
| ·SiC 功率二极管发展情况 | 第12-15页 |
| ·SiC JBS 二极管存在的问题和本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 半导体器件物理基础及仿真模型 | 第17-30页 |
| ·半导体基础理论 | 第17-19页 |
| ·能带理论 | 第17页 |
| ·半导体器件基本方程 | 第17-19页 |
| ·功率半导体器件耐压理论 | 第19-23页 |
| ·PN 结基本理论介绍 | 第19-20页 |
| ·雪崩击穿 | 第20-22页 |
| ·齐纳击穿 | 第22页 |
| ·热击穿 | 第22-23页 |
| ·仿真平台介绍 | 第23-29页 |
| ·仿真软件简介 | 第23-25页 |
| ·仿真模型介绍 | 第25-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 5kV 4H-SiC JBS 二极管元胞特性研究 | 第30-41页 |
| ·PN 结二极管特性研究 | 第30-32页 |
| ·肖特基二极管特性简介 | 第32-34页 |
| ·JBS 二极管特性研究 | 第34-35页 |
| ·JBS 二极管仿真研究 | 第35-40页 |
| ·JBS 二极管基本参数确定 | 第35-37页 |
| ·JBS 二极管正向特性研究 | 第37-39页 |
| ·JBS 二极管温度特性研究 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 5kV 4H-SiC JBS 二极管常规结终端技术研究 | 第41-54页 |
| ·平面器件曲率效应 | 第41-42页 |
| ·场板技术研究 | 第42-46页 |
| ·场限环技术研究 | 第46-50页 |
| ·单区 JTE 技术研究 | 第50-52页 |
| ·各结终端技术总结对比 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 5kV 4H-SiC JBS 二极管刻蚀型 JTE 研究 | 第54-71页 |
| ·硅基多区 JTE 介绍 | 第54-55页 |
| ·4H-SiC 器件多区 JTE 研究 | 第55-56页 |
| ·常规刻蚀型 JTE 技术研究 | 第56-63页 |
| ·VLE-JTE 技术研究 | 第63-70页 |
| ·VLE-JTE 耐压机理研究 | 第63-68页 |
| ·VLE-JTE 工艺容差特性研究 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
