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基于中红外飞秒激光场的原子分子电离行为若干问题的研究

致谢第1-8页
摘要第8-10页
ABSTRACT第10-13页
目录第13-15页
第一章 引言第15-43页
   ·超短强激光技术的发展及现状第15-21页
     ·调Q技术第17页
     ·锁模技术第17-18页
     ·啁啾脉冲放大技术(CPA)第18-19页
     ·光参量放大技术(OPA)第19-21页
   ·超短强激光与原子分子相互作用的基本物理过程第21-37页
     ·原子分子在强激光场中的电离行为第22-32页
       ·多光子电离第23-24页
       ·阈上电离第24-28页
       ·隧穿电离第28-32页
       ·越垒电离第32页
     ·非顺序双电离第32-34页
     ·高次谐波产生第34-35页
     ·强激光场中分子的电离抑制现象第35-37页
   ·强场原子分子物理的主要理论方法第37-42页
     ·求解含时薛定谔方程第38页
     ·半经典理论及其模型化第38-41页
     ·散射矩阵理论第41-42页
   ·本论文主要工作第42-43页
第二章 实验技术和实验系统/测量方法第43-63页
   ·实验技术简介第43-45页
     ·飞行时间谱仪原理简介第43-44页
     ·本论文实验过程简介第44-45页
   ·激光系统第45-49页
     ·钛宝石振荡器第45-46页
     ·啁啾脉冲放大系统第46-47页
     ·光参量放大系统第47-48页
     ·激光参数的测量第48-49页
   ·真空系统第49-52页
     ·真空装置第49-50页
     ·超高真空的获得第50-52页
   ·离子透镜第52-53页
   ·信号探测和采集系统第53-63页
     ·信号探测系统第53-55页
     ·信号甄别系统第55-57页
     ·信号采集系统第57-63页
第三章 中红外波段强激光场下原子分子阈上电离研究第63-81页
   ·研究背景介绍第63-64页
   ·实验方法第64-65页
   ·实验结果与理论分析第65-80页
     ·实验结果第65-70页
       ·高能平台结构第65-66页
       ·低能光电子能谱第66-69页
       ·低能光电子角分布第69-70页
     ·理论分析第70-80页
       ·半经典理论模型第70-72页
       ·低能结构的形成第72-77页
       ·VLES与HLES具体形成机制的差别第77-80页
   ·本章小结第80-81页
第四章 中红外波段强激光场下双原子分子电离抑制研究第81-91页
   ·研究背景介绍第81-82页
   ·实验方法第82-84页
   ·实验结果与理论分析第84-89页
     ·实验结果第84-85页
     ·理论分析第85-89页
   ·本章小结第89-91页
第五章 总结与展望第91-93页
参考文献第93-107页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果第107-108页

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