| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 前言 | 第10-25页 |
| ·纳米材料的概述 | 第11-12页 |
| ·纳米材料的概念 | 第11页 |
| ·纳米材料的分类 | 第11-12页 |
| ·纳米材料的特性 | 第12-15页 |
| ·小尺寸效应 | 第12页 |
| ·表面效应 | 第12-13页 |
| ·量子尺寸效应 | 第13-15页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第15页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第15-19页 |
| ·化学沉淀法 | 第16页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第16页 |
| ·模板法 | 第16-17页 |
| ·水热法 | 第17-19页 |
| ·半导体纳米材料 | 第19-23页 |
| ·硫化铋Bi_2S_3) | 第19-21页 |
| ·硫化铅(PbS) | 第21-22页 |
| ·硫化镉(CdS) | 第22页 |
| ·硒化镉(CdSe) | 第22-23页 |
| ·本课题的研究思路与内容 | 第23-25页 |
| 2 Sb_2S_3微纳米片阵列的合成及表征 | 第25-36页 |
| ·前言 | 第25-26页 |
| ·试剂与仪器 | 第26-27页 |
| ·试剂 | 第26-27页 |
| ·仪器 | 第27页 |
| ·样品的表征 | 第27页 |
| ·Sb_2S_3微纳米片阵列的制备 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-35页 |
| ·XRD表征 | 第28页 |
| ·EMAX表征 | 第28-29页 |
| ·SEM的表征 | 第29页 |
| ·Sb_2S_3微纳米片阵列形貌控制 | 第29-34页 |
| ·反应机理 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 3 Sb_2Se_3纳米线及Sb_2Se_3纳米棒阵列的合成与表征 | 第36-48页 |
| ·前言 | 第36页 |
| ·试剂与仪器 | 第36-37页 |
| ·试剂 | 第37页 |
| ·仪器 | 第37页 |
| ·样品表征 | 第37-38页 |
| ·Sb_2Se_3纳米线的制备和表征 | 第38-44页 |
| ·Sb_2Se_3纳米线的制备 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·Sb_2Se_3纳米棒阵列的制备与表征 | 第44-47页 |
| ·Sb_2Se_3纳米棒阵列的制备 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 4 掺杂Sb_2S_3微纳米片阵列的制备及电学性能检测 | 第48-54页 |
| ·前言 | 第48页 |
| ·试剂与仪器 | 第48-49页 |
| ·试剂 | 第48-49页 |
| ·仪器 | 第49页 |
| ·样品的表征 | 第49页 |
| ·掺杂Sb_2S_3微纳米片阵列及其器件的制备 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-53页 |
| ·XRD表征 | 第50-51页 |
| ·SEM表征 | 第51-52页 |
| ·电学性能的测试 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 5 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |