| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| ·纳米科学技术与纳米材料 | 第10-11页 |
| ·纳米带研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文的基本内容结构 | 第12-14页 |
| 第2章 理论计算方法和基础 | 第14-20页 |
| ·绝热近似 | 第14-16页 |
| ·单电子轨道近似方法 | 第16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-20页 |
| ·Hohenberg-Kohn(HK)定理 | 第17页 |
| ·Kohn-Sham(KS)方程 | 第17-18页 |
| ·密度泛函的简化方法 | 第18页 |
| ·VASP模拟软件包 | 第18-20页 |
| 第3章 悬挂键对氮化铝纳米带的电子和磁性特征的影响 | 第20-34页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·计算方法和模型 | 第21-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-31页 |
| ·结论 | 第31-34页 |
| 第4章 异质结构单层AlNSI_x结构和电子特性的第一性原理研究 | 第34-44页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·计算模型和方法 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-43页 |
| ·AlN薄片和纳米带 | 第36-39页 |
| ·Si薄片和纳米带 | 第39-41页 |
| ·AlNSi_x异质单层 | 第41-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 第5章 一条硅链掺杂AlN纳米带的结构和电子特性 | 第44-52页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·计算模型和方法 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-51页 |
| ·结论 | 第51-52页 |
| 第6章 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第64页 |