| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-35页 |
| ·石墨烯的结构 | 第12-13页 |
| ·石墨烯的物理性质 | 第13-15页 |
| ·石墨烯的应用 | 第15-16页 |
| ·石墨烯薄膜的制备方法 | 第16-20页 |
| ·等离子体技术的发展历程 | 第20-22页 |
| ·离子束技术的发展历程 | 第22-23页 |
| ·石墨烯材料的理论模拟研究进展 | 第23-26页 |
| ·课题组研究基础及本文研究的主要内容 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-35页 |
| 第二章 样品制备及表征 | 第35-54页 |
| ·样品制备方法 | 第35-41页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积技术制备薄膜的原理 | 第35页 |
| ·等离子体技术刻蚀原理 | 第35页 |
| ·双频容性耦合等离子体装置简介 | 第35-37页 |
| ·离子束技术及装置简介 | 第37-41页 |
| ·基片清洗 | 第41页 |
| ·发射光谱诊断技术 | 第41-45页 |
| ·样品表征 | 第45-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 等离子体增强CVD 与热处理相结合制备石墨烯薄膜的研究 | 第54-65页 |
| ·实验设置 | 第54-55页 |
| ·高、低频功率对沉积石墨烯薄膜的影响 | 第55-56页 |
| ·石墨烯薄膜光学性质测试结果及分析 | 第56-57页 |
| ·石墨烯薄膜拉曼测试结果及分析 | 第57-59页 |
| ·石墨烯薄膜表面形貌测试结果及分析 | 第59-61页 |
| ·双频容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯薄膜的机理分析 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第四章 等离子体预刻蚀的低温热解 SIC 外延生长石墨烯薄膜研究 | 第65-79页 |
| ·等离子体刻蚀 SiC 基片的研究 | 第65-70页 |
| ·实验设置 | 第66页 |
| ·低频功率对刻蚀率以及 SiC 基片表面形貌的影响 | 第66-68页 |
| ·等离子体刻蚀对 SiC 基片表面化学成份影响的研究 | 第68-69页 |
| ·DF-CCP 刻蚀 SiC 机理的分析 | 第69-70页 |
| ·等离子体预刻蚀 SiC 基片制备石墨烯薄膜的研究 | 第70-75页 |
| ·实验设置 | 第70-71页 |
| ·未处理及处理后样品的 XPS 测试结果与分析 | 第71-72页 |
| ·退火温度和气氛对石墨烯薄膜晶体质量的影响 | 第72-73页 |
| ·处理前后样品表面形貌的比较和分析 | 第73-74页 |
| ·刻蚀及薄膜生长机理的分析 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 低能离子束照射掺杂石墨烯的研究 | 第79-97页 |
| ·实验设置 | 第79-82页 |
| ·结果与分析 | 第82-90页 |
| ·未照射石墨烯样品的物理和化学性质测试与分析 | 第82-83页 |
| ·B 离子束照射的石墨烯样品的物理和化学性质测试与分析 | 第83-86页 |
| ·N 离子束照射的石墨烯样品的物理和化学性质测试与分析 | 第86-88页 |
| ·F 离子束照射的石墨烯样品的物理和化学性质测试与分析 | 第88-90页 |
| ·低能离子束照射单层石墨烯的计算模拟研究 | 第90-92页 |
| ·SDTrimSP 5.0 版软件简介 | 第90-91页 |
| ·模拟参数设置 | 第91页 |
| ·模拟结果与分析 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第六章 结论与展望 | 第97-100页 |
| ·结论 | 第97-98页 |
| ·展望 | 第98-100页 |
| 创新性说明 | 第100-101页 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
